考题
晶体三极管由()PN结组成,分成基区、发射区和集电区。
A、一个B、两个C、三个D、四个
考题
三极管哪个区的掺杂浓度最高()
A、基区B、发射区C、集电区D、不确定
考题
关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积
考题
晶体管能够放大的内部条件是()。
A.两个背靠背的PN结B.自由电子与空穴都参与导电C.有三个掺杂浓度不同的区域D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大
考题
晶体管的内部结构分为三个区,即发射区、基区和集电区;两个结为发射和集电结。()
此题为判断题(对，错)。
考题
在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）。A、基区B、集电区C、发射区D、饱和区
考题
晶体管的内部结构分为三个区，即发射区、基区和集电区；两个结为发射和集电结。
考题
晶体三极管它有三个区和三个引出电极，分别是（）。A、集电区（极）B、基区（极）C、控制区（极）D、发射区（极）
考题
三极管具有（）的特点。A、发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度B、基区非常薄C、集电区掺杂浓度较小，集电结的面积比发射结的面积大D、以上三项
考题
晶体三极管是由（）个PN结组成，分成基区、发射区、集电区.
考题
晶体管热噪声主要存在于（）电阻内。A、基区B、发射区C、集电区D、发射区和集电区
考题
下列关于晶体三极管说法证确的是（）。A、发射区与基区交界处的PN结为发射结B、基区与集电区交界处的PN结为发射结C、发射区与基区交界处的PN结为集电结D、发射区与集电区交界处的PN结为集电结
考题
叙述晶体三极管电流的传输过程（）。A、发射区向基区注入载流子过程B、少数载流子，在基区扩散与复合过程C、集电区收集载流子的过程D、基区向发射区注入载流子过程
考题
晶体三极管从结构上划分，有如下：（）。A、发射区B、基区C、集电区D、放大区
考题
三极管工作在放大状态时，发射区是（）载流子，基区则是作为输送和控制载流子的基地，集电区是（）载流子的。
考题
三极管有（）型和（）型两种结构，三极管中集电区与基区之间的PN结称为（）结，基区与发射区之间的PN结成为（）结。
考题
晶体管内部由3层半导体材料构成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射极和集电极。
考题
三极管是由三层半导体材料组成的，有三个区域，中间的一层为（）A、基区B、栅区C、集电区D、发射区
考题
半导体三极管内部有发射区、基区和集电区三部分，结合处形成两个PN结，分别称为发射结和（）。A、集中结B、集成结C、集电结D、集合结
考题
三极管最薄的区是（）。A、发射区B、集电区C、基区
考题
半导体三极管工作过程中（）。A、发射区杂质浓度大于基区杂质浓度；B、发射区杂质浓度小于基区杂质浓度；C、发射区杂质浓度等于基区杂质浓度；D、发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。
考题
三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别为发射结和（）。A、集中结B、集成结C、集电结D、集合结
考题
三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射结和（）。A、集中结B、集成结C、集电结
考题
单选题晶体管是由单层半导体材料组成的。有三个区域，中间的一层为（）。A
基区B
栅区C
集电区D
发射区
考题
填空题晶体三极管是由（）个PN结组成，分成基区、发射区、集电区.