考题
硅基二极管的正向导通电压一般为0.7V。()
此题为判断题(对，错)。
考题
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管()
A、立即导通B、到0.3V才开始导通C.、超过死区电压时才开始导通
考题
硅二极管的正向导通电压一般是()V。
A.1VB.0.7VC.2VD.7V
考题
硅二极管的正向导通电压是( )。A.0.3VB.0.6VC.1V
考题
二极管导通后硅管的导通电压一般取为（）V。A.0.2
B.0.4
C.0.5
D.0.7
考题
二极管导通状态描述错误的是（）A、锗二极管的导通电压为0.3V左右B、硅二极管的导通电压为0.6V左右C、二极管导通后，其导通电流不变D、二极管导通后，其导通电压不变
考题
二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。A、为零B、硅管0.7V，锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变
考题
二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V，锗管0.5-0.7V。
考题
在常温常压下，硅二极管的正向导通压降约为（）。A、0.1～0.3VB、0.4～0.5VC、0.6～0.8VD、0.9～1.0V
考题
硅稳压二极管与一般二极管不同的是，稳压管工作在（）。A、击穿区B、导通区C、反向击穿区D、反向导通区
考题
要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压。
考题
硅二极管的正向导通压降约为（）A、0.7VB、0.5VC、0.3VD、0.2V
考题
二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。A、0.6B、0.7C、0.8D、1.0
考题
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
在常温下，硅二极管的开启电压是（）V，导通后在较大电流下时正向压降约（）V。
考题
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
在工程估算中，硅二极管的正向导通电压取（）V，锗二极管的正向导通电压取（）V。
考题
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
考题
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
考题
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
考题
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管（）。A、立即导通B、到0.3V时才开始导通C、超过死区电压时才开始导通D、不导通
考题
常温下，硅二极管的正向导通压降为（）。A、0.3V；B、0.7V；C、1V
考题
判断题二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V，锗管0.5-0.7V。A
对B
错
