考题
二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。
考题
硅二极管的正向导通压降和锗二极管的一样大。()
此题为判断题(对，错)。
考题
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）。A、大B、小C、相等D、无法判定
考题
极管如果采用正向接法，稳压二极管将（）A、稳压效果变差B、稳定电压变为二极管的正向导通压降C、截止D、稳压值不变，但稳定电压极性发生变化
考题
二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
考题
管压降是指二级管导通时的（）A、压降B、反向压降C、正向压降D、电压降
考题
二极管正向导通后，正向管压降几乎不随电流变化。
考题
二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3Ｖ，锗管0.5-0.7Ｖ。
考题
二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）
考题
实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取（），锗管一般为（）。
考题
硅二极管的正向导通压降约为（）A、0.7VB、0.5VC、0.3VD、0.2V
考题
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
考题
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
在常温下，硅二极管的开启电压是（）V，导通后在较大电流下时正向压降约（）V。
考题
从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。A、0B、死区电压C、反向击穿电压D、正向压降
考题
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
考题
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
考题
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
考题
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
考题
试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低，且在稳态导通时其管压降不随电流的大小而变化。
考题
肖特基二级管正向压降小，开启电压（），正向导通损耗小。
考题
利用二极管（）的特性，可以获得较好的稳压性能。A、单向导通B、反向击穿C、正向导通D、正向压降
考题
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
考题
判断题二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V，锗管0.5-0.7V。A
对B
错