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通信设备内部电路采用大量的半导体MOS、CMOS等器件,由于这类器件对静电的敏感范围为(),所以机房必须采取防静电措施。

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考题 目前RAM多采用MOS型半导体集成电路芯片制成,PC中使用的RAM除DRAM芯片外,还使用 芯片。

考题 MOS是()的简称。 A、电荷耦合器件B、金属氧化物半导体C、电荷引动元件D、其他

考题 目前RAM多采用MOS型半导体集成电路芯片制成,PC机中使用的RAM除DRAM芯片外,还使用【 】芯片。

考题 CMOS 非门电路采用什么类型的MOS管?

考题 通信设备内部电路采用大量的半导体MOS、CMOS等器件,由于这类器件对静电的敏感范围为(),所以机房必须采取防静电措施。 A.25~10000VB.25~5000VC.25~1000VD.25~500V

考题 目前主要使用的是()与CMOS两种半导体成像器件。A、CCDB、MOSC、VIDICOMD、PAL

考题 整流电路主要是利用()实现的。A、半导体器件的单向导电性B、半导体器件的电容效应C、半导体器件的击穿特性D、半导体器件的温度敏感性

考题 单极型集成电路不包含().A、普通晶体管(NPN管或PNP管)B、P沟道MOS管C、N沟道MOS管D、互补型MOS(即CMOS)

考题 在MOS逻辑电路中,由PMOS管组成的与非门电路叫做()。A、互补MOS与非门电路B、CMOS与非门电路

考题 不间断电源UPS电能转换电路不论是主电路还是其他控制电路,均采用“()”。A、三极管器件B、集成电路器件C、半导体固体器件D、二极管

考题 SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、()、()、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等

考题 当输出为TTL电平的串行或并行I/O器件与CMOS电路连接时,如果CMOS电路电源大于()V,则必须在这两种器件之间采用电平转换器。

考题 计算机板卡上的集成电路器件多采用MOS技术制造。

考题 CMOS电路是在MOS电路的基础上发展起来的一种互补对称场效应管基成电路。

考题 下列电路属于单极型器件集成的应是().A、TTL集成电路B、HTL集成电路C、MOS集成电路

考题 兼有()和()两种增强型MOS电路称为CMOS电路。

考题 填空题对于CMOS集成电路,通常器件间的电性绝缘采用介质绝缘的方式,如LOCOS()或STI()

考题 问答题在CMOS电路里,MOS管一般采用何种类型?

考题 填空题闩锁效应(可控硅效应),是CMOS电路遇到的()问题。在CMOS电路正常工作时,由于()的突然被激发,器件电流突然(),甚至很快因Al(),使电路失效。

考题 填空题半导体器件隔离的种类有:();()和()三种。P-N结隔离适合()的器件。目前大多数CMOS器件采用()隔离,绝缘介质场区氧化层采用()工艺生长。

考题 判断题Bi-CMOS工艺就是用标准的Bipolar工艺来制造MOS器件。A 对B 错

考题 判断题在门电路器件中,“74”指该器件为TTL电路类型、“40”指该器件为CMOS电路类型。A 对B 错

考题 填空题SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、()、()、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等

考题 填空题半导体集成电路是采用半导体工艺技术,在硅基片上制作包括电阻、电容、()、晶体管等元器件并具有某种电路功能的集成电路。

考题 单选题通信设备内部电路采用大量的半导体MOS、CMOS等器件,由于这类器件对静电的敏感范围为(),所以机房必须采取防静电措施。A 25~10000VB 25~5000VC 25~1000VD 25~500V

考题 判断题计算机板卡上的集成电路器件多采用MOS技术制造。A 对B 错

考题 单选题目前主要使用的是()与CMOS两种半导体成像器件。A CCDB MOSC VIDICOMD PAL