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半导体晶片生产用石英反应管及夹


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考题 沿机械轴y轴方向的力作用在石英压电晶片上所产生的电荷量与晶体切片的尺寸无关。()

考题 半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂()加速到的需要的(),直接注入到半导体晶片中,并经适当温度的()。

考题 构成光纤的最基本材料是()。A、塑料B、半导体材料C、石英玻璃D、尼龙

考题 下列物质中,属于半导体的是()。A、镍B、锰C、锗D、石英

考题 用水浸法检验零件时;通常用于产生横波的方法是()A、用纵波垂直于界面发射到零件中去B、用两种不同振动频率的晶片C、用Y切割石英晶体D、适当的倾斜探头

考题 腐蚀时量测频率的操作方法是:()A、在热水槽中取出腐蚀篮,用塑料镊子夹取少数晶片到抹布上B、擦干晶片,在测频仪上量测晶片频率C、夹取晶片时动作轻重都可D、量测前不用校对频率标晶

考题 所谓集成电路,指的是在半导体单晶片上制造出含有大量电子元件和连线的电子电路。

考题 在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺,使两边分别形成P型和N型半导体,那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层,称为()。

考题 用水浸法检验零件时,通常用于产生横波的方法是()。A、用纵波垂直于界面发射到零件中去B、用两个不同振动频率的晶片C、切割石英晶体D、适当地倾斜探头

考题 扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散,改变了晶片(),所以晶片才能被人们所使用。A、内部的杂质分布B、表面的杂质分布C、整个晶体的杂质分布D、内部的导电类型E、表面的导电类型

考题 压电传感器里常见的压电元件有石英晶片、()和分子材料三种。

考题 用石英晶体制作的压电式传感器中,晶面上产生的()与作用在晶面上的压强成正比,而与晶片的()和面积无关。

考题 压电传感器里常见的压电元件有石英晶片、压电陶瓷和分子材料三种。

考题 下列矿物与其用途对应错误的是()A、燧石-取火B、石灰岩-生产水泥C、石棉-促进燃烧D、石英-制作半导体

考题 压电石英晶片(未装配)

考题 用石英晶体制作的压电传感器,晶面上产生的电压与作用在晶面上外力成正比,而与晶片的厚度和面积无关。

考题 制作霍尔元件最合适的材料是()。A、铜B、石英晶体C、镍D、半导体

考题 某探头晶片材料标识为T,它的材料是()A、锆钛酸铅陶瓷B、钛酸钡陶瓷C、钛酸铅陶瓷D、石英

考题 用石英材料做晶片制作的探头有什么特点?

考题 石英晶体()压电效应产生的电荷量与晶片的几何尺寸无关,而()压电效应产生的电荷量与晶片的几何尺寸有关;压电陶瓷是一种()铁电体。

考题 霍尔式传感器的基本原理是:当电流流过放在磁场中的半导体晶片,且电流、磁场、晶片相互垂直时,在洛伦兹力作用下半导体基片上将产生一个()。A、线性变化的电流B、线性变化的电压C、矩形波电压D、尖峰波电流

考题 问答题用石英材料做晶片制作的探头有什么特点?

考题 填空题N型半导体是在硅晶片上掺入少量的()而形成的,其多数载流子是()。

考题 单选题用水浸法检验零件时;通常用于产生横波的方法是()A 用纵波垂直于界面发射到零件中去B 用两种不同振动频率的晶片C 用Y切割石英晶体D 适当的倾斜探头

考题 单选题下列矿物与其用途对应错误的是()A 燧石-取火B 石灰岩-生产水泥C 石棉-促进燃烧D 石英-制作半导体

考题 填空题石英晶体()压电效应产生的电荷量与晶片的几何尺寸无关,而()压电效应产生的电荷量与晶片的几何尺寸有关;压电陶瓷是一种()铁电体。

考题 单选题用水浸法检验零件时,通常用于产生横波的方法是()。A 用纵波垂直于界面发射到零件中去B 用两个不同振动频率的晶片C 切割石英晶体D 适当地倾斜探头