网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：
题目内容
（请给出正确答案）
突触前抑制的特点下列哪一项是错误的（）
- A、突触前膜去极化
- B、持续时间长
- C、潜伏期较长
- D、通过轴突一轴突突触结构的活动来实现
- E、轴突末梢释放抑制性递质
参考答案
更多 “突触前抑制的特点下列哪一项是错误的（）A、突触前膜去极化B、持续时间长C、潜伏期较长D、通过轴突一轴突突触结构的活动来实现E、轴突末梢释放抑制性递质” 相关考题
考题
下列关于突触前抑制的叙述，错误的是A、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C、突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D、潜伏期短，持续时间短E、可调节控制感觉信息的传入活动
考题
关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述，哪一项是错误的A．突触前末梢去极化B．Ca2+由膜内进入突触前膜内C．突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D．突触后膜对K+、Cl-的通透性升高E．突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
考题
下列关于IPSP产生过程的叙述，哪一项是错误的？A. 突触前膜超极化
B. Ca2+经突触前膜进入突触小体
C. 突触前膜释放抑制性递质
D. 突触后膜对Cl-通透性增强
E. Cl-内流产生IPSP
考题
知识点：突触前抑制突触前抑制的特点是
A.突触前膜超极化
B.突触前轴突末梢释放抑制性递质
C.突触后膜的兴备性降低
D.突触后膜的兴奋性、突触后电位降低
E.通过轴突-树突突触的活动实现
考题
抑制性突触后电位发生过程中哪一项是错误的？（）A、突触前轴突末梢去极化B、Ca2+由膜外进入突触前膜内C、突触小泡释放递质并与突触后膜受体结合D、突触后膜对Cl-或K+的通透性升高E、突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
考题
关于抑制性突触后电位产生过程的描述，哪一项是错误的？（）A、突触前轴突末梢去极化，Ca2+由膜外进入突触前膜内B、突触前轴突末梢释放兴奋性递质减少C、突触后膜对K+、C1-，特别是Cl-的通透性增高D、突触后膜出现超极化电位
考题
单选题抑制性突触后电位发生过程中哪一项是错误的？（）A
突触前轴突末梢去极化B
Ca2+由膜外进入突触前膜内C
突触小泡释放递质并与突触后膜受体结合D
突触后膜对Cl-或K+的通透性升高E
突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
考题
单选题关于抑制性突触后电位产生过程的描述，哪一项是错误的？（）A
突触前轴突末梢去极化，Ca2+由膜外进入突触前膜内B
突触前轴突末梢释放兴奋性递质减少C
突触后膜对K+、C1-，特别是Cl-的通透性增高D
突触后膜出现超极化电位
考题
单选题关于抑制性突触后电位产生过程的描述，哪一项是错误的？（ ）A
突触前轴突末梢去极化B
Ca2+由膜外进入突触前膜内C
突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D
突触后膜对Cl-或K+的通透性升高E
突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
考题
多选题下列关于突触前抑制的叙述，错误的是（）A突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D潜伏期短，持续时间短E可调节控制感觉信息的传入活动
考题
单选题关于突触前易化的产生，下列哪一描述是正确的？（ ）A
结构基础与突触前抑制不同B
到达突触前末梢的动作电位频率高C
有多个兴奋同时到达突触前末梢D
进人突触前末梢内Ca2+增多E
突触后膜有多个EPSP发生总和
热门标签
最新试卷