网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)
问答题
比较同等掺杂浓度多晶硅和单晶硅电阻率的大小?解释不同的原因。

参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
更多 “问答题比较同等掺杂浓度多晶硅和单晶硅电阻率的大小?解释不同的原因。” 相关考题
考题 硅提纯及制备工艺流程正确的是()。 A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅

考题 宁东光伏电站的电池组件是()材料。A、多晶硅B、单晶硅C、薄膜D、砷化钾

考题 目前比较成熟且广泛应用的是晶硅类电池。多晶硅比单晶硅转换效率(),但价格更()。A、低,便宜B、低,贵C、高,便宜D、高,贵

考题 棒状单晶硅(经掺杂、直径63mm)

考题 半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电阻率()A、越高B、不确定C、越低D、不变

考题 将得到的多晶硅进行溶解,做成单晶硅,其方法有()和浮游带熔融两种。

考题 绒面结构及作用;单晶硅片和多晶硅片表面制作绒面结构所用的腐蚀剂及提高绒面结构质量采用的措施。

考题 单晶硅太阳能和多晶硅太阳能电池的产量合计约占世界太阳能产量的()左右。

考题 在结晶系中,多晶硅电池片的厚度为()角,单晶硅电池片的厚度为()角。

考题 硅的电阻率与掺杂浓度有关。

考题 多晶硅表面的结晶面是多重的,因此不能像单晶硅基片那样,使用()的不同方向腐蚀的化学蚀刻方法。

考题 已切割的单晶硅切片(经掺杂、直径63mm)

考题 光伏电站的电池组件是()材料。A、多晶硅B、单晶硅C、薄膜D、砷化钾

考题 最早用于制造太阳能电池的半导体材料是()。A、单晶硅B、晶体硅C、多晶硅

考题 判断题实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺:扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单,所以被广泛采用。A 对B 错

考题 单选题以下关于“光电二极管与光电池不同之处”的叙述不正确的是()A 它们的掺杂浓度不同,光电池掺杂浓度较高,而光电二极管掺杂浓度低;B 它们的电阻率不同,光电池的电阻率低;C 工作电压偏置条件不同,光电池通常在零偏置下工作,而光电二极管通常在反向偏置下工作;D 它们的光电流的大小不同,光电池的光电流小得多,通常在微安级。

考题 问答题单晶硅与多晶硅的区别?

考题 单选题杂质半导体中少数载流子浓度()A 与掺杂浓度和温度无关B 只与掺杂浓度有关C 只与温度有关D 与掺杂浓度和温度有关

考题 单选题硅光电二极管与硅光电池比较,后者()。A 掺杂浓度低B 电阻率低C 反偏工作D 光敏面积小

考题 单选题半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电阻率()A 越高B 不确定C 越低D 不变

考题 判断题相同掺杂浓度下,多晶硅的电阻率比单晶硅的电阻率高得多。A 对B 错

考题 单选题宁东光伏电站的电池组件是()材料。A 多晶硅B 单晶硅C 薄膜D 砷化钾

考题 问答题为了形成具有一定阻值的多晶硅电阻,对多晶硅的掺杂有何要求?

考题 问答题比较电阻率剖面法和电阻率测深法的坐标系有什么不同?

考题 单选题“光电二极管与光电池相比较,其特性有所不同,下列的说法不不正确的是()A 它们的掺杂浓度不同,光电池掺杂浓度较低,而光电二极管掺杂浓度高B 它们的电阻率不同,光电池的电阻率低C 工作电压偏置条件不同,光电池通常在零偏置下工作,而硅光电二极管通常在反向偏置下工作D 它们的光电流的大小不同,硅光电二极管的光电流小得多,通常在微安级

考题 问答题简述沉积多晶硅采用什么CVD工具?掺杂的Poly-Si的主要用途。写出掺杂的Poly-Si做栅电极的6个原因。

考题 单选题光伏电站的电池组件是()材料。A 多晶硅B 单晶硅C 薄膜D 砷化钾