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单选题
LKJ关键存储芯片EPROM类型的抽样检测试验时,反复擦除、写入次数不应低于()次,对于RAM、Flash、DOC等可改写芯片,反复擦除、写入次数不应低于()次,按键面膜按键次数应不低于()次.()
A
100,10000,50000
B
50,100000,200000
C
20,200000,100000
D
10,100000,100000
参考答案
参考解析
解析:
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考题
进行存储解决方案选择时,以下说法错误的是(13)。A.NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些B.NAND Flash的写入速度比NOR Flash快一些C.NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些D.NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作
考题
进行存储解决方案选择时,以下说法错误的是______。A.NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些B.NAND Flash的写入速度比NOR Flash快一些C.NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些D.NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作A.B.C.D.
考题
进行存储解决方案选择时,以下说法错误的是(49)。A.NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些B.NAND Flash的写人速度比NOR Flash快一些C.NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些D.NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作
考题
NAND FLASH和NOR FLASH的区别正确的是。()A、NOR的读速度比NAND稍慢一些B、NAND的写入速度比NOR慢很多C、NAND的擦除速度远比NOR的慢D、大多数写入操作需要先进行擦除操作
考题
PROM是可编程只读存储器的缩写,它的内容()A、是用户用编程器一次性写入的,不能再改变B、可在紫外线灯的照射下擦除,反复多次地擦除和写入C、在写入新的内容时,原来的内容会自动清除,允许反复多次写入D、在其制造过程中确定,不允许再改变
考题
EEPROM是电擦除可编程只读存储器的缩写,它的内容也由用户写入,()A、是用户用编程器一次性写入的,不能再改变B、可在紫外线灯的照射下擦除,反复多次地擦除和写入C、在写入新的内容时,原来的内容会自动清除,允许反复多次写入D、在其制造过程中确定,不允许再改变
考题
ROM又称掩膜只读存储器,它存储的内容()A、是用户用编程器一次性写入的,不能再改变B、可在紫外线灯的照射下擦除,反复多次地擦除和写入C、在写入新的内容时,原来的内容会自动清除,允许反复多次写入D、在其制造过程中确定,不允许再改变
考题
单选题NAND FLASH和NOR FLASH的区别正确的是。()A
NOR的读速度比NAND稍慢一些B
NAND的写入速度比NOR慢很多C
NAND的擦除速度远比NOR的慢D
大多数写入操作需要先进行擦除操作
考题
单选题LKJ关键存储芯片EPROM类型的抽样检测试验时,反复擦除.写入次数不应低于()次,对于RAM.Flash.DOC等可改写芯片,反复擦除.写入次数不应低于()次,按键面膜按键次数应不低于()次。A
100,10000,50000B
50,100000,200000C
20,200000,100000D
10,100000,100000
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