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名词解释题
沟道电导

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考题 按导电沟道不同,电力MOSFET可分为哪两项?( ) A、耗尽型B、增强型C、P沟道D、N沟道

考题 场效应管有结型和绝缘栅型两类,每一类中又分()两种。 A、N沟道和P沟道B、H沟道和P沟道C、N沟道和H沟道D、Y沟道和H沟道

考题 功率场效应晶体管一般为()。 A.P沟道耗尽型B.P沟道增强型C.N沟道耗尽型D.N沟道增强型

考题 功率场效应晶体管一般为()。A、N沟道耗尽型B、N沟道增强型C、P沟道耗尽型D、P沟道增强型

考题 结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管

考题 排水沟道纵断面设计时,一般要求上级沟道的沟底不低于下级沟道沟底。

考题 依据《中国南方电网有限责任公司电力安全工作规程》,不应在带电导线、带电设备、变压器、油断路器附近以及在()内对火炉或喷灯加油及点火。A、电缆夹层B、隧道C、沟道D、蓄电池室

考题 以下哪些场所不应对火炉或喷灯加油或点火()A、带电导线附近B、带电设备附近C、变压器附近D、油断路器附近E、电缆夹层、隧道、沟道内

考题 孔洞盖板及沟道盖板用于孔洞或沟道的()

考题 排水沟道系统的分级一般分为()、()、()、()四级固定沟道。

考题 平均排除法适用于()A、丘陵地区的排水沟道B、山区的排水沟道C、平原地区的得排水沟道D、高原区的排水沟道

考题 单极型晶体管又称为()管,其导电沟道有()沟道和()沟道。

考题 结型场效应管的类型有()。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管

考题 MOS种类分为?()A、P沟道场管B、Q沟道场管C、D沟道场管D、N沟道场管

考题 在隧道或电缆沟中不需设置防火墙的部位是()。A、公用主沟道的分支处;B、沟道中通风区段处;C、至控制室的沟道入口处;D、沟道中相隔约100m处。

考题 ()是利用外加电场,使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小(绝缘栅型)沟道或改变原来导电的大小(结型)来控制电导率变化的原理制成的。A、半导体二极管;B、晶体三极管;C、场效应晶体管;D、双向晶闸管。

考题 沟道

考题 CMOS反相器基本电路包括()A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

考题 填空题孔洞盖板及沟道盖板用于孔洞或沟道的()

考题 单选题无光照时,材料具有一定的电导,称为()相应地,有光照时的电导称为()亮电导与暗电导之差称为()A 暗电导---亮电导---光电导B 亮电导---暗电导---光电导C 光电导---暗电导---亮电导D 暗电导---光电导---亮电导

考题 填空题单极型晶体管又称为()管。其导电沟道分有()沟道和P沟道。

考题 单选题在隧道或电缆沟中不需设置防火墙的部位是()。A 公用主沟道的分支处;B 沟道中通风区段处;C 至控制室的沟道入口处;D 沟道中相隔约100m处。

考题 单选题结型场效应晶体管根据结构不同分为()A P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管C N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管

考题 单选题()是利用外加电场,使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小(绝缘栅型)沟道或改变原来导电的大小(结型)来控制电导率变化的原理制成的。A 半导体二极管;B 晶体三极管;C 场效应晶体管;D 双向晶闸管。

考题 多选题按导电沟道不同,电力MOSFET可分为哪两项?()A耗尽型B增强型CP沟道DN沟道

考题 名词解释题沟道电导调制

考题 名词解释题沟道电导调制效应