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名词解释题
阈值电压

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考题 施密特触发器有两个阈值电压,分别称作()。 A.正向阈值电压B.反向阈值电压C.高电压D.低电压
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考题 CMOS门电路,由于其阈值电压约为电源电压的一半,因而()。 A、其噪声容限较TTL电路较小B、其抗干扰能力较TTL电路稍差C、其噪声容限较TTL电路较大
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考题 在图题10-1所示的电路中，已知R1=10kΩ, R2=30kΩ,其中CMOS非门电路的电源电压Vcc=6V。①计算该电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT-和回差电压△VT。②画出该电路的传输特性曲线。③画出图示波形输入下的输出电压Vo波形。
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考题 比较器的阈值电压是指（）A、使输出电压翻转的输入电压B、使输出达到最大幅值的基准电压C、输出达到最大幅值电压时D、使输出达到的最大幅值电压时的输入电压
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考题 EISU通用DI测量通道高电平阈值电压（）A、大于等于2VB、小于等于2VC、大于等于3VD、小于等于3V
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考题 MISUPA中，低电平阈值电压是小于（）A、0.5B、0.8C、1D、2
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考题 阈值电压
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考题 混合液晶的阈值电压主要取决于液晶的介电各项异性Δε，Δε大，有利于降低液晶的阈值电压。（）
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考题 迟滞比较器的回差电压△U是指（）。A、正向阈值电压与负向阈值电压之差B、最大输出正电压与负电压之差C、最大输入电压与最小输入电压之差D、输出电压与输人电压之差
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考题 滞回比较器的回差ΔU是指（）。A、正向阈值电压UTH1与负向阈值电压UTH2之差；B、最大输出正电压和负电压之差；C、最大输入电压与最小输入电压之差
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考题 EISU通用AI/DI测量通道低电平阈值电压（）A、大于等于0.8VB、小于等于0.8VC、大于等于1VD、小于等于1V
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考题 比较器（）电平发生跳变时的（）电压称为阈值电压，过零电压比较器的阈值电压是（）。只有一个阈值电压的比较器称为（）比较器；而具有两个阈值电压的比较器称为（）比较器。
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考题 施密特触发器的正向阈值电压一定大于负向阈值电压。
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考题 TTL与非门阈值电压UT的典型值是（）A、0.4VB、1.4VC、2VD、2.4V
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考题 如果一个滞回比较器的两个阈值电压和一个窗口比较器的相同，那么当它们的输入电压相同时，它们的输出电压波形也相同。
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考题 问答题什么是MOSFET的阈值电压，它受哪些因素影响？
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考题 问答题什么叫阈值电压？阈值电压是否可变？阈值电压为负时称为什么电压？
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考题 问答题根据阈值电压不同，常把MOS器件分为几种？
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考题 问答题什么是MOS管的阈值电压？
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考题 单选题当有一反向偏置电压加在衬底和源之间时，耗尽区加宽，使得阈值电压（）A 增大B 减小C 不变D 先增大后减小
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考题 填空题在电子工业中，离子注入成为了微电子工艺中的一种重要的（），也是控制MOSFET阈值电压的一个重要手段。
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考题 判断题用来制造MOS器件最常用的是（100）面的硅片，这是因为（100）面的表面状态更有利于控制MOS器件开态和关态所要求的阈值电压。A 对B 错
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考题 判断题改变氧化层厚度可以控制阈值电压。A 对B 错
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考题 问答题对NMOS晶体管，注入何种杂质使阈值电压增加或降低？
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考题 单选题耗尽型NMOS晶体管的阈值电压（）A 大于零B 等于零C 大于0.7VD 小于零
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考题 填空题衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压，反向偏置电压增大，则MOS器件的阈值电压也随之增大，这种效应称为（）
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考题 多选题对于CMOS晶体管，要得到良好受控的阈值电压，需要控制（）等工艺参数。A氧化层厚度；B沟道中掺杂浓度；C金属半导体功函数；D氧化层电荷。
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