考题
因为晶体管发射区的杂质浓度比基区的杂质浓度小得多,所以能用两个二极管反向连接起来代替晶体管。()
此题为判断题(对，错)。
考题
晶体管具备电流放大的内部条件是()。
A.基区薄而其杂质浓度低B.基区杂质浓度高C.降低发射区杂质浓度D.加强电子在基区的复合
考题
钢中合金元素或杂质含量增加,均使变形抗力减小。( )
此题为判断题(对，错)。
考题
在一般情况下,固体杂质,特别是硬度高、有尖棱的杂质,使感度()。A.增加B.降低C.不变
考题
润滑油不能牢固、均匀地附着在金属表面形成油膜，使摩擦阻力增大，主要是由润滑油的（）造成。A、黏度不合适B、闪点降低C、杂质增加D、油性降低
考题
油层水淹后，注入水占据较大的孔道，另外，注入水沿孔壁窜流并形成油水混合物。这样就造成Krw迅速（），而Kro明显（）。A、增加；增加B、降低；降低C、增加；降低D、降低；增加
考题
哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量：（）。A、低温注入B、常温注入C、高温注入D、分子注入E、双注入
考题
混合液晶的阈值电压主要取决于液晶的介电各项异性Δε，Δε大，有利于降低液晶的阈值电压。（）
考题
喷射泵的杂质阻塞（）使真空度降低或建立不起来。A、喷嘴B、扩散管C、排出口D、蒸汽抽水入口
考题
在一般情况下，固体杂质，特别是硬度高、有尖棱的杂质，使感度（）。A、增加B、降低C、不变
考题
松软的或液态杂质混入后，往往会使感度（）。A、增加B、降低C、不变
考题
晶体管具备电流放大的内部条件是（）。A、基区薄而其杂质浓度低B、基区杂质浓度高C、降低发射区杂质浓度D、加强电子在基区的复合
考题
快速注入生理盐水20ml后，可使尿量增加，与其关系不大的因素是：（）A、血浆胶体渗透压降低B、血糖浓度降低，使ADH释放减少C、血容量增加D、肾血流量增加
考题
使焊料降低流动性且会增加焊料腐蚀性的杂质是（）A、金B、铝C、铁D、铜
考题
在晶体中存在杂质时对扩散有重要的影响，主要是通过（），使得扩散系数增大。A、增加缺陷浓度B、使晶格发生畸变C、降低缺陷浓度D、A和B
考题
填空题晶体管的注入效率是指（）电流与（）电流之比。为了提高注入效率，应当使（）区掺杂浓度远大于（）区掺杂浓度。
考题
单选题在晶体中存在杂质时对扩散有重要的影响，主要是通过（），使得扩散系数增大。A
增加缺陷浓度B
使晶格发生畸变C
降低缺陷浓度D
A和B
考题
填空题MOS场效应晶体管的开启电压指的是：（）。所以，NMOS管的开启电压为（），PMOS管的开启电压为（）。
考题
问答题什么叫阈值电压？阈值电压是否可变？阈值电压为负时称为什么电压？
考题
问答题请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。
考题
判断题NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。A
对B
错
考题
单选题使焊料降低流动性且会增加焊料腐蚀性的杂质是（）A
金B
铝C
铁D
铜
考题
单选题松软的或液态杂质混入后，往往会使感度（）。A
增加B
降低C
不变
考题
单选题NMOS是在（）阱形成的（）沟道的MOSFET晶体管。A
P阱，P沟B
P阱、N沟C
N阱、N沟D
N阱、P沟
考题
单选题耗尽型NMOS晶体管的阈值电压（）A
大于零B
等于零C
大于0.7VD
小于零
考题
单选题在一般情况下，固体杂质，特别是硬度高、有尖棱的杂质，使感度（）。A
增加B
降低C
不变