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单选题
若采用自身上釉,烧结温度比体瓷的烧结温度(  )。
A

高20~30℃

B

高10~20℃

C

高10℃以内

D

低10℃以内

E

低10~20℃


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
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考题 上釉的烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确

考题 若采用体瓷、透明瓷自身上釉,烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确

考题 若采用自身上釉,烧结温度比体瓷的烧结温度A、高20~30℃B、高10~20℃C、高10℃以内D、低10℃以内E、低10~20℃

考题 PFM冠上釉时的炉温是A、与体瓷的烧结温度相同B、低于体瓷烧结温度6~8℃C、低于体瓷烧结温度10~20℃D、高于体瓷烧结温度6~8℃E、高于体瓷烧结温度10~20℃

考题 上釉的烧结温度是A.低于体瓷温度5℃B.低于体瓷温度10℃C.低于体瓷温度20℃D.高于体瓷温度5℃E.高于体瓷温度10℃

考题 儿童的脑、脊髓放射耐受量比成人:()。A.高10%B.低10%C.高20%D.低20%E.高5%

考题 引物的退火温度与解链温度(Tm)的关系通常是( )。A、退火温度比Tm高5℃~10℃B、退火温度比Tm低5℃~10℃C、退火温度比Tm低10℃~15℃D、退火温度比Tm高15℃~20℃E、退火温度比Tm低15℃~20℃

考题 某技师采用二次法烧结遮色层,第一层烧结与第二层烧结之间温度的关系是A.第一层与第二层烧结温度一致B.第一层烧结温度比第二层低30~50℃C.第一层烧结温度比第二层低10~20℃D.第一层烧结温度比第二层高10~20℃E.第一层烧结温度比第二层高30~50℃

考题 在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉,上釉有两种方法:自行上釉和分别上釉,其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟,高于体瓷烧熔温度的范围是A.31~40℃B.21~30℃C.10℃以内D.11~20℃E.5℃

考题 发生器内溶液温度比热媒温度()A、低20~50摄氏度B、高20~50摄氏度C、低10~40摄氏度D、高10~40摄氏度

考题 若采用体瓷、透明瓷自身上釉,烧结温度是()。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确

考题 上釉的烧结温度是()。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确

考题 儿童的脑,脊髓放射耐受量比成人( )A、高10%B、低10%C、高20%D、低20%E、高5%

考题 车孔时的切削速度比车外圆时()。A、低10%~20%B、低20%~40%C、高5%~10%D、高10%~20%

考题 低实装小区如何分档,以下哪项正确?()A、实装率高10%-15%,中5%-10%,低0-5%B、实装率高15%-20%,中10%-15%,低0-10%C、实装率高20%-30%,中10%-20%,低0-10%D、实装率高25%-30%,中15%-25%,低0-15%

考题 额定工况时,二冲程汽油机耗油率比四冲程()。A、低20%~30%B、低5%~10%C、高5%~10%D、高20%~30%

考题 一般脱硫气体的温度控制比贫溶剂的温度()。A、低5~6℃B、低10~15℃C、低20~30℃D、高5~6℃

考题 单选题在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉,上釉有两种方法:自行上釉和分别上釉,其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟,高于体瓷烧熔温度的范围是(  )。A 31~40℃B 21~30℃C 10℃以内D 11~20℃E 5℃

考题 单选题若采用体瓷、透明瓷自身上釉,烧结温度是(  )。A B C D E

考题 单选题若采用自身上釉,烧结温度比体瓷的烧结温度(  )。A 高20~30℃B 高10~20℃C 高10℃以内D 低10℃以内E 低10~20℃

考题 单选题发生器内溶液温度比热媒温度()A 低20~50摄氏度B 高20~50摄氏度C 低10~40摄氏度D 高10~40摄氏度

考题 单选题瓷熔附合金的熔化温度应比瓷的烧结温度和用于连接桥体的焊料温度()A 低B 稍低C 接近D 高

考题 单选题低温条件下,各种维生素的需要量约比常温下()。A 低30%~50%B 低10%~20%C 高5%~10%D 高10%~20%E 高30%~50%

考题 单选题上釉的烧结温度是()A 低于体瓷烧结温度5℃B 低于体瓷烧结温度10℃C 高于体瓷烧结温度5℃D 高于体瓷烧结温度10℃E 以上均不正确

考题 单选题蜡型材料的熔解温度和全部熔解时的温度的叙述,正确的是()A 一样B 后者比前者高5~10℃C 前者比后者高5~10℃D 后者比前者高20~25℃E 后者比前者高10~20℃

考题 单选题若采用体瓷、透明瓷自身上釉,烧结温度是()。A 低于体瓷烧结温度5℃B 低于体瓷烧结温度10℃C 高于体瓷烧结温度5℃D 高于体瓷烧结温度10℃E 以上均不正确

考题 单选题儿童的脑、脊髓放射耐受量比成人()。A 高10%B 低10%C 高20%D 低20%E 高5%

考题 单选题PFM冠上釉时的炉温是(  )。A 与体瓷的烧结温度相同B 低于体瓷烧结温度6~8℃C 低于体瓷烧结温度10~20°CD 高于体瓷烧结温度6~8℃E 高于体瓷烧结温度10~20℃