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问答题
解释HDPCVD中同步沉积和刻蚀。典型深宽比的值是什么？
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考题
热导焊和深熔焊，（）说法是正确的。A、前者所用激光功率密度低，且熔深浅，深宽比小B、前者所用激光功率密度低，但熔深大，深宽比大C、后者所用激光功率密度低，但熔深大，深宽比大D、后者所用激光功率密度低，且熔深浅，深宽比小
考题
硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）A、体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工B、体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工C、体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构
考题
单选题在集成电路多层布线中，通常采用钨插销连接各层布线的最主要原因（）A
钨的导电率比铝更低B
钨的刻蚀比铝更容易C
采用化学气相沉积法制备的钨具有更好的填孔能力D
钨与硅的接触性能更好
考题
单选题硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）。A
a.体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工；B
b.体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工；C
c.体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构；
考题
判断题离子注入的能量远低于离子刻蚀和离子溅射沉积。A
对B
错
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