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单选题
临界晶核是能够稳定存在的且能成长为新相的核胚,临界晶核的半径越大,晶核的形成()。
A

越容易

B

需要更低的能量

C

越困难

D

不受影响


参考答案

参考解析
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考题 下述说法哪些正确?在相同过冷度的条件下,()A、非均匀形核比均匀形核的形核率高;B、均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径;C、非均匀形核比均匀形核需要的形核功小;D、非均匀形核比均匀形核的临界晶核体积小。

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考题 晶核成长

考题 结晶操作时,溶液浓度对晶核形成和晶体成长有很大的影响。当饱和度低时,晶核生成(),()生长为()。

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考题 其它条件不变的情况下,提高过冷度,下面哪个现象不会发生()A、可能出现的最大晶坯尺寸变大B、临界晶核半径变大C、形核功减小D、形核率增加

考题 临界晶核是能够稳定存在的且能成长为新相的核胚,临界晶核的半径越大,晶核的形成()。A、越容易B、需要更低的能量C、越困难D、不受影响

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考题 问答题何为临界晶核?物理意义是什么?

考题 名词解释题临界晶核形核功

考题 单选题形成临界晶核时体积自由能的减少只能补偿表面能的()。A 1/3B 2/3C 3/4D 1/2

考题 多选题关于均匀形核,以下说法正确的是()。A体积自由能的变化只能补偿形成临界晶核表面所需能量的三分之二B非均匀形核比均匀形核难度更大C结构起伏是促成均匀形核的必要因素D能量起伏是促成均匀形核的必要因素E过冷度△T越大,则临界半径越大

考题 单选题形成临界晶核时需要的形核功由什么提供?()A 由外界加热提供;B 由能量起伏提供;C 由体积自由能提供。

考题 问答题晶核剂对熔体结晶过程的临界晶核半径r*有何影响?

考题 单选题金属凝固时,临界晶核半径大小()A 与晶核表面能、过冷度成反比B 与晶核表面能成正比,与过冷度成反比C 与晶核表面能、过冷度成正比D 与晶核表面能成反比,与过冷度成正比

考题 问答题指出下列错误之处,并改正之。 1、所谓临界晶核,就是体积自由能的减少完全补偿表面自由能增加时的晶胚大小。 2、在液态金属中,凡是涌现出小于临界晶核半径的晶胚都不能形核,但是只要有足够的能量起伏提供形核功,还是可以形核。 3、无论温度分布如何,常用纯金属都是树枝状方式生长。

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考题 单选题其它条件不变的情况下,提高过冷度,下面哪个现象不会发生()A 可能出现的最大晶坯尺寸变大B 临界晶核半径变大C 形核功减小D 形核率增加

考题 多选题下述说法哪些正确?在相同过冷度的条件下,()A非均匀形核比均匀形核的形核率高;B均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径;C非均匀形核比均匀形核需要的形核功小;D非均匀形核比均匀形核的临界晶核体积小。