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问答题
解释重掺杂半导体使禁带变窄的原因。
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考题
关于反向饱和电流密度,以下说法中错误的是()A、p-n结两边掺杂浓度相差较大时,反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。B、在一定温度下,与Si材料相比,GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度,所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。C、p-n结两边掺杂浓度越高,越有利于降低反向饱和电流密度。D、与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。
考题
单选题肌肉收缩时肌小节的变化()A
明、暗带均变窄B
明、暗带均不变C
明带不变,暗带变窄D
暗带不变,明带变窄E
暗带不变,明带变宽
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