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单选题
对于硅三极管,发射极的死区电压约为()V。
A

0.7

B

0.5

C

0.2


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
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考题 测得放大电路中某三极管各管脚对参考点的电位分别为:管脚①2.3V,管脚②3V,管脚③-9V,则可判定( )。 A该三极管是锗管且管脚①是发射极B该三极管是硅管且管脚③是发射极C该三极管是硅管且管脚①是发射极D该三极管是硅管且管脚②是发射极

考题 三极管加正向偏置时存在一个死区电压,锗管死区电压为()V,硅管为()V。

考题 在三极管的输入特性曲线中,锗管的死区电压约为()左右。 A.0.3VB.0.1VC.0.2VD.0.5V

考题 小电流硅二级管的死区电压为0.5V。正向压降为0.7V。

考题 小电流硅二极管的死区电压约为(),正向压约为0.7V。A、0.4VB、0.5VC、0.6VD、0.7V

考题 对于硅三极管,发射极的死区电压约为()V。A、0.7B、0.5C、0.2

考题 硅半导体三极管不失真的电压放大时,其be结应加的直流电压与交流电压值约为()A、均为0.6~0.7VB、前者为0.6~0.7V,后者约为百mVC、前者为0.6~0.7V,后者约为几mV~十几mVD、视具体情况而定

考题 二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?

考题 从输入特性曲线上看,硅管的死区电压约为().A、0.1VB、0.3VC、0.5VD、1V

考题 硅二极管的死区电压一般为0.2V。

考题 硅管的死区电压约为()。A、0.8VB、0.9VC、0.7VD、0.6V

考题 硅三极管两端加上正向电压时()。A、立即导通B、若超过0.3V才导通C、若越过死区电压就导通

考题 在三极管的输入特性曲线中,锗管的死区电压约为()左右。A、0.3VB、0.1VC、0.2VD、0.5V

考题 二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?

考题 硅管的死区电压约为()V,锗管的死区电压约为()V。

考题 硅管的死区电压为0.5V,锗管的死区电压为()。A、0.5VB、0.7VC、0.4VD、0.2V

考题 晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。

考题 硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。

考题 二极管具有()向导电性,两端加上正向电压时有一段“死区电压”,锗管约为()V;硅管约为()V。

考题 硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为()A、0.6V;0.6VB、0.6V;0.1VC、0.1V;0.6VD、0.1V;0.1V

考题 硅管的门限电压约为()V。

考题 对于硅三极管,发射极的死区电压约为()V。A、0.7B、0.5C、0.2D、0.3

考题 硅材料二极管的死区电压为0.3V。

考题 单选题硅三极管两端加上正向电压时()。A 立即导通B 若超过0.3V才导通C 若越过死区电压就导通

考题 填空题硅管的死区电压()伏,锗管的死区电压约为()伏。

考题 问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?

考题 单选题硅半导体三极管不失真的电压放大时,其be结应加的直流电压与交流电压值约为()A 均为0.6~0.7VB 前者为0.6~0.7V,后者约为百mVC 前者为0.6~0.7V,后者约为几mV~十几mVD 视具体情况而定