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问答题
试解释为什么GTR有二次击穿现象,而Power MOSFET没有。

参考答案

参考解析
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考题 GTR存在二次击穿现象。()

考题 P-MOSFET存在二次击穿现象。()

考题 什么是GTR的二次击穿现象以及二次击穿的危害。

考题 试说明GTR,MOSFET和IGBT各自优点和缺点。

考题 当GTR发生的二次击穿,()

考题 使用功率MOSFET时要注意()。A、防止静电击穿B、防止二次击穿C、MOSFET不能承受反压D、栅源过电压保护

考题 电力场效应管MOSFET()现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿

考题 GTR的主要缺点之一是()A、开关时间长B、高频特性差C、通态压降大D、有二次击穿现象

考题 UPS常用的电力电子器件有:()A、GTR;B、MOSFET;C、IGBT;D、SCR

考题 功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为()。A、一次击穿B、二次击穿C、临界饱和D、反向截止

考题 关于二次击穿,以下说法正确的是()。A、大功率晶体管GTR不会发生二次击穿B、功率MOSFET不会发生二次击穿C、二次击穿可能使器件永久性损坏D、二次击穿的过程很短暂

考题 说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。

考题 GTR的优点是控制方便、开关时间短,低频特性好,缺点是存在局部过热现象,可能导致二次击穿。

考题 电力场效应晶体管(电力MOSFET)()现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿

考题 Power MOSFET和GTR哪个易于并联,为什么?

考题 IGBT是一个复合型的器件,它是()。A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO

考题 试解释为什么GTR有二次击穿现象,而Power MOSFET没有。

考题 试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。

考题 电力场效应管MOSFET在使用和存放时,要防止()A、时间久而失效B、二次击穿C、静电击穿D、饱和

考题 单选题电力场效应晶体管(电力MOSFET)()现象。A 有二次击穿B 无二次击穿C 防止二次击穿D 无静电击穿

考题 问答题描述GTR的二次击穿特性。

考题 单选题功率晶体管(GTR)从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为()。A 一次击穿B 二次击穿C 临界饱和D 反向截至

考题 问答题说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。

考题 单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中,哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件()。A GTO和GTR;B TRIAC和IGBT;C MOSFET和IGBT;D SCR和MOSFET;

考题 问答题试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。

考题 问答题Power MOSFET和GTR哪个易于并联,为什么?

考题 问答题试解释为什么GTR有二次击穿现象,而Power MOSFET没有。

考题 判断题IGBT没有二次击穿现象。A 对B 错