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题目内容 (请给出正确答案)
单选题
假设过冷液体中出现一个球形晶胚,形核功()
A

等于体积自由能

B

等于体积自由能的1/2

C

等于体积自由能的1/3

D

等于体积自由能的2/3


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
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考题 结晶过程中,过冷度越大,形核机率越大,形核数目越多。

考题 只依靠液体本身在一定的过冷条件下形成的晶核过程叫做()。A、自发形核B、非自发形核C、结晶D、形核

考题 在没有外部供给能量的条件下,形核功依靠液体本身存在的()来供给。

考题 下述说法哪些正确?在相同过冷度的条件下,()A、非均匀形核比均匀形核的形核率高;B、均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径;C、非均匀形核比均匀形核需要的形核功小;D、非均匀形核比均匀形核的临界晶核体积小。

考题 要发生相变必须过冷。过冷度ΔT(),临界晶胚半径rK(),越()形成新相。

考题 非均匀形核所需要的形核功大于均匀形核所需要的形核功。

考题 假设过冷液体中出现一个球形体晶胚,体积自由能()A、等于表面能B、等于表面能的1/2C、等于表面能的1/3D、等于表面能的2/3

考题 荠菜胚发育将经过()等阶段。A、球形胚B、梨形胚C、心形胚D、马蹄形胚

考题 荠菜胚发育的第一个阶段是形成()。A、球形胚B、心形胚C、不定形胚D、梨形胚

考题 其它条件不变的情况下,提高过冷度,下面哪个现象不会发生()A、可能出现的最大晶坯尺寸变大B、临界晶核半径变大C、形核功减小D、形核率增加

考题 控制金属的凝固过程获得细晶组织的手段有()。A、加入形核剂B、减小液相过冷度C、增大液相过冷度D、增加保温时间E、施加机械振动

考题 说明在液体结晶的过程中晶胚和晶核的关系。

考题 下述说法哪些正确?非均匀形核时,θ角越小,形核越容易。这是因为()A、临界晶核的体积和表面积越小;B、形核需要的过冷度越小;C、需要的形核功越小。。

考题 问答题解释临界晶核半径r*和形核功△G*的意义,以及为什么形核要有一定过冷度?

考题 问答题说明在液体结晶的过程中晶胚和晶核的关系。

考题 多选题控制金属的凝固过程获得细晶组织的手段有()。A加入形核剂B减小液相过冷度C增大液相过冷度D增加保温时间E施加机械振动

考题 填空题要发生相变必须过冷。过冷度ΔT(),临界晶胚半径rK(),越()形成新相。

考题 单选题假设过冷液体中出现一个球形体晶胚,体积自由能()A 等于表面能B 等于表面能的1/2C 等于表面能的1/3D 等于表面能的2/3

考题 单选题纯金属均匀形核时()A 当过冷度很小时,原子可动性低,相变驱动力低,因此,形核率低B 当过冷度很小时,原子可动性高,相变驱动力高,因此,形核率低C 当过冷度很小时,原子可动性低,相变驱动力高,因此,形核率低D 当过冷度很小时,原子可动性高,相变驱动力低,因此,形核率低

考题 判断题非均匀形核所需要的形核功大于均匀形核所需要的形核功。A 对B 错

考题 填空题在过冷度不很大时,形核率主要受形核功因子的控制,当过冷度非常大时,形核率主要受()的控制。

考题 问答题指出下列错误之处,并改正之。 1、所谓临界晶核,就是体积自由能的减少完全补偿表面自由能增加时的晶胚大小。 2、在液态金属中,凡是涌现出小于临界晶核半径的晶胚都不能形核,但是只要有足够的能量起伏提供形核功,还是可以形核。 3、无论温度分布如何,常用纯金属都是树枝状方式生长。

考题 判断题大的成分过冷及强形核能力的形核剂有利于等轴晶的形成。A 对B 错

考题 问答题证明在相同的过冷度下均质形核时,球形晶核与立方形晶核哪种更易形成。

考题 多选题下述说法哪些正确?非均匀形核时,θ角越小,形核越容易。这是因为()A临界晶核的体积和表面积越小;B形核需要的过冷度越小;C需要的形核功越小。。

考题 单选题其它条件不变的情况下,提高过冷度,下面哪个现象不会发生()A 可能出现的最大晶坯尺寸变大B 临界晶核半径变大C 形核功减小D 形核率增加

考题 多选题下述说法哪些正确?在相同过冷度的条件下,()A非均匀形核比均匀形核的形核率高;B均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径;C非均匀形核比均匀形核需要的形核功小;D非均匀形核比均匀形核的临界晶核体积小。