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多选题
芯片单元达到纳米级不再工作的原因是（）。
A

电阻太小

B

电阻太大

C

热运动不可忽略

D

量子效应不可忽略

参考答案

参考解析
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考题 芯片内部包含()。 A、微处理器单元B、存储卡C、存储单元D、集成电路E、输入/输出接口单元
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考题 设用2K×4位的存储器芯片组成16K x 8位的存储器(地址单元为0000H～3FFFH，每个芯片的地址空间连续)，则地址单元OBlFH所在芯片的最小地址编号为(4)。A．0000HB．0800HC．2000HD．2800H
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考题 安排 2764 芯片内第一个单元的地址是 1000H,则该芯片的最末单元的地址是() 。 A.1FFFHB.17FFHC.27FFHD.2FFFH
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考题 内存地址从AC000H到C7FFFH，共有(70)K个地址单元，如果该内存地址按字(16bit)编址，由28片存储器芯片构成。已知构成此内存的芯片每片有16K个存储单元，则该芯片每个存储单元存储(71)位。A．96B．112C．132D．156
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考题 内存地址从AC000H到C7FFFH，共有(3)个地址单元，如果该内存地址按宇(16bit)编址，由28块芯片构成。已知构成此内存的芯片每片有16K个存储单元，则该芯片每个存储单元存储(4)位。(50)A．96B．112C．132D．156
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考题 内存地址从 4000H 到 43FFH，共有____个内存单元，若该内存每个存贮单元可以存储16 位二进制数，并用 4片存储芯片构成，则芯片容量为___.
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考题 μPD424256的容量为256K×4bit，即芯片内部有256K个存储单元，每个存储单元可存储4位信息。下面关于μPD424256的叙述中，正确的是( )。A．芯片内部有256K个存储单元，因此芯片有18个地址引脚B．芯片的RAS和CAS选通信号主要用于DRAM的刷新C．芯片的数据线有4根，但为减少芯片的引脚数，它们与18个地址信号中的低4位地址线是分时复用的D．DRAM芯片中的存储单元除像μPD424256那样存储4位信息外，有的DRAM芯片中的存储单元存储1位信息，有些存储8位信息
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考题 纳米技术是指加工尺度达到纳米级的制造技术，请问纳米技术的英文是什么？（）A、Network TechnologyB、NanotechnologyC、Automobile TechnologyD、Cellular Engineering
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考题 设某ROM芯片的地址范围为OOOOH~OIFFH，则该ROM芯片可寻址单元有（）个。
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考题 安排2764芯片内第一个单元的地址是1000H，则该芯片的最末单元的地址是（）。A、1FFFHB、17FFHC、27FFHD、2FFFH
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考题 一存储器芯片有13条地址引脚、8条数据引脚，请问该存储器芯片内有（）个字节单元。
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考题 存储系统每次给DRAM芯片提供刷新地址，被选中的芯片上所有单元都刷新一遍。
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考题 存储器芯片的集成度高表示单位芯片面积制作的存储单元数多。
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考题 动态RAM的特点是什么？动态RAM存储器芯片刷新工作的条件是什么？一个64K位芯片每刷新一次可刷新多少个存储单元？
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考题 采样单元板工作指示灯不闪亮的故障原因是什么？怎样处理？
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考题 超声波探伤仪中产生高压电脉冲以激励探头芯片工作的电路单元叫同步电路。
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考题 内存芯片存储单元靠内存芯片的行地址和（）来进行标识。
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考题 到目前为止，还没有一种刀具材料可以是使其刀具的刃口圆弧半径达到纳米级。
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考题 动态RAM芯片2164的容量为64K位（256×256），对2164芯片的刷新方法是（）。A、每次刷新1个单元B、每次刷新256个单元C、每次刷新512个单元D、一次刷新全部单元
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考题 LPC2000系列芯片有哪些内部单元（回答5个以上）
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考题 填空题设某ROM芯片的地址范围为OOOOH~OIFFH，则该ROM芯片可寻址单元有（）个。
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考题 判断题超声波探伤仪中产生高压电脉冲以激励探头芯片工作的电路单元叫同步电路。A 对B 错
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考题 判断题存储器芯片的集成度高表示单位芯片面积制作的存储单元数多。A 对B 错
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考题 问答题动态RAM的特点是什么？动态RAM存储器芯片刷新工作的条件是什么？一个64K位芯片每刷新一次可刷新多少个存储单元？
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考题 判断题存储系统每次给DRAM芯片提供刷新地址，被选中的芯片上所有单元都刷新一遍。A 对B 错
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考题 单选题动态RAM芯片2164的容量为64K位（256×256），对2164芯片的刷新方法是（）。A 每次刷新1个单元B 每次刷新256个单元C 每次刷新512个单元D 一次刷新全部单元
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考题 判断题含水硝铵类炸药抗水原因是硝酸铵吸水已达到饱和不再吸收水分，达到以水抗水的作用。A 对B 错
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