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单选题
动态RAM芯片2164的容量为64K位(256×256),对2164芯片的刷新方法是()。
A

每次刷新1个单元

B

每次刷新256个单元

C

每次刷新512个单元

D

一次刷新全部单元


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考题 用32K×4位的RAM芯片构成256K×32位存储器芯片M,至少需要(20)个RAM芯片。若用构成的芯片M来存储16MB的内容,则至少需要(21)个这样的芯片M。(55)A.4B.32C.64D.8

考题 说明2164芯片各引脚的功能。

考题 若内存RAM的容量为64K,字长为16位的存储器,所采用的芯片16K×1bit的芯片,共需()个芯片。 A.4×4个B.4×32个C.4×8个D.4×16个

考题 在Intel 2164动态RAM存储器中,对存储器刷新的方法是( )。A.每次一个单元B.每次刷新512个单元C.每次刷新256个单元D.一次刷新全部单元

考题 μPD424256的容量为256K×4bit,即芯片内部有256K个存储单元,每个存储单元可存储4位信息。下面关于μPD424256的叙述中,正确的是( )。A.芯片内部有256K个存储单元,因此芯片有18个地址引脚B.芯片的RAS和CAS选通信号主要用于DRAM的刷新C.芯片的数据线有4根,但为减少芯片的引脚数,它们与18个地址信号中的低4位地址线是分时复用的D.DRAM芯片中的存储单元除像μPD424256那样存储4位信息外,有的DRAM芯片中的存储单元存储1位信息,有些存储8位信息

考题 若由1K×1位的RAM芯片组成一个容量为8K字(16位)的存储器时,需要该芯片数为()。A.128片 B.256片 C.64片 D.32片

考题 若用2164芯片构成容量为128KB的存储器,需多少片2164? 至少需多少根地址线?其中多少根用于片内寻址?多少根用于片选译码?  

考题 设某微型机的内存RAM区的容量位128KB,若用2164芯片构成这样的存储器,需多少2164芯片?至少需多少根地址线?其中多少根用于片内寻址?多少根用于片选译码?

考题 若利用DRAM2164A(64K×1)存储器芯片构成256KB的存储器,至少需要的地址信号线数及用于片内寻址的地址信号线数分别为()。A、18和16B、18和8C、17和15D、18和13

考题 若内存RAM的容量为64K,字长为16位的存储器,所采用的芯片16K×1bit的芯片,共需()个芯片。A、4×4个B、4×32个C、4×8个D、4×16个

考题 一个8K×8位的动态RAM芯片,其内部结构排列成256×256形式,存取周期为0.1μs。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少?

考题 某以8088为CPU的微型计算机内存RAM区为00000H~3FFFFH,若采用6264、 62256、2164或21256各需要多少片芯片?

考题 对于下列芯片,它们的片内地址线各有多少根?若分别用以下芯片组成容量为64K字节的模块,试指出分别需要多少芯片? (1)Intel 2114(1K×4位); (2)Intel 6116(2K×8位); (3)Intel 2164(64K×1位); (4)Intel 3148(4K×8位)。

考题 若由1K×1位的RAM芯片组成一个容量为8K字(16位)的存储器时,需要该芯片数为()。A、256片B、128片C、64片D、32片

考题 ()是随机存储器RAM芯片。A、2164B、8284C、28128D、6264

考题 Intel 2164A是64K×8b芯片。

考题 Intel 2164A芯片刷新时,只送入4个7位行地址进行刷新。

考题 若有一片SRAM芯片为64K×4位,其片内地址信号有()条,对外数据总线有()条,若用其组成256K字节的内存,需要()片此种芯片。

考题 动态RAM的特点是什么?动态RAM存储器芯片刷新工作的条件是什么?一个64K位芯片每刷新一次可刷新多少个存储单元?

考题 动态RAM芯片2164的容量为64K位(256×256),对2164芯片的刷新方法是()。A、每次刷新1个单元B、每次刷新256个单元C、每次刷新512个单元D、一次刷新全部单元

考题 判断题Intel 2164A芯片刷新时,只送入4个7位行地址进行刷新。A 对B 错

考题 问答题若用2164芯片构成容量为128KB的存储器,需多少片2164? 至少需多少根地址线? 其中多少根用于片内寻址? 多少根用于片选译码?

考题 单选题用2164DRAM芯片构成8086内存的最小容量是()。A 64KBB 256KBC 128KBD 640KB

考题 判断题Intel 2164A是64K×8b芯片。A 对B 错

考题 问答题动态RAM的特点是什么?动态RAM存储器芯片刷新工作的条件是什么?一个64K位芯片每刷新一次可刷新多少个存储单元?

考题 问答题一个8K×8位的动态RAM芯片,其内部结构排列成256×256形式,存取周期为0.1μs。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少?

考题 问答题设某微型机的内存RAM区的容量位128KB,若用2164芯片构成这样的存储器,需多少2164芯片?至少需多少根地址线?其中多少根用于片内寻址?多少根用于片选译码?