考题
半导体有哪些主要特性()。
A.光敏特性B.热敏特性C.掺杂特性D.导通特性
考题
在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。
A、温度B、杂质浓度C、原本征半导体的纯度
考题
半导体工艺中，掺杂有哪几种方式？（仕兰微面试题目）
考题
半导体主要特性（）A、光敏B、热敏C、掺杂D、电阻
考题
半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。
考题
以下掺杂半导体中属于n型的是（）A、In掺杂的GeB、As掺杂的GeC、InSb中，Si占据Sb的位置D、GaN中，Mg占据Ga的位置
考题
本征半导体在温度T=OK和无光照时，导电能力与（）很接近.A、金属B、小电阻C、绝缘体D、掺杂半导体
考题
在中厚板生产中横剪有哪些类型？它地主要作用有哪些？
考题
什么叫掺杂半导体？什么叫N型半导体？什么叫P型半导体？
考题
本征半导体（纯半导体）的Eg小于掺杂质半导体
考题
半导体的压阻效应与掺杂度、温度、材料类型和半导体的晶向有关。
考题
在本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是（）型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）；若在本征半导体中掺入少量的五价元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
考题
下列掺杂半导体属于n型半导体的是（）A、In掺杂的GeB、As掺入GeC、As掺入SiD、InSb中，Si占据Sb的位置E、GaN中，Mg占据Ga的位置
考题
N型半导体中的自由电子是（）形成的。A、掺杂B、能量击发C、掺杂与能量击发
考题
在杂质半导体中，少数载流子的浓度与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
考题
在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（）A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺
考题
在半导体中掺入微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。A、W型B、N型有P型C、U型
考题
下列物质中载流子最多的是（）。A、本征半导体B、掺杂半导体C、导体D、绝缘体
考题
在半导体中掺人微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。A、W型B、N型有P型C、U型D、V型
考题
问答题简述半导体中浅能级和深能级掺杂对半导体的导电有何影响？
考题
判断题PIN管是在P型和N型半导体之间夹着一层（相对）很厚的掺杂半导体。A
对B
错