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单选题
成熟的焦饼中心面上有一条缝,一般称焦缝,其形成的原因是()。
A

由于两面炉墙加热,当胶质体层在中心汇合时,两侧同时固化收缩,胶质层内产生气体膨胀,故出现上下直通的焦缝

B

装炉煤加热约8h后,水分完全蒸发,中心面的煤料温度上升

C

炭化室内煤料热能形成的胶质层,由两侧逐渐移向中心。由于胶质层透气性差,在两胶质层之间形成的气体不可能横穿过胶质层只能上行进入炉顶

D

在炼焦过程中,随着温度的升高,连在核上的侧链不断脱落分解,芳核本身则缩合并稠环化形成的


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更多 “单选题成熟的焦饼中心面上有一条缝,一般称焦缝,其形成的原因是()。A 由于两面炉墙加热,当胶质体层在中心汇合时,两侧同时固化收缩,胶质层内产生气体膨胀,故出现上下直通的焦缝B 装炉煤加热约8h后,水分完全蒸发,中心面的煤料温度上升C 炭化室内煤料热能形成的胶质层,由两侧逐渐移向中心。由于胶质层透气性差,在两胶质层之间形成的气体不可能横穿过胶质层只能上行进入炉顶D 在炼焦过程中,随着温度的升高,连在核上的侧链不断脱落分解,芳核本身则缩合并稠环化形成的” 相关考题
考题 焦饼中心缝产生的主要原因()A.加热程度太高B.煤的变质程度不够C.由于内部气体压力及半焦收缩D.集气管压力过大

考题 推焦杆头接触焦饼开始进行推焦操作的时间称推焦时间。

考题 焦饼中心温度一般控制在()。

考题 在什么情况下要测量焦饼中心温度?怎样测量焦饼中心温度?

考题 焦饼中心温度一般控制在1000±50℃。

考题 当焦饼中心温度达到()时,焦炭即告成熟。A、800℃B、950℃C、1000℃D、1050℃

考题 焦饼的中心温度一般在()℃,焦饼上、下温差应小于()℃。

考题 一般焦饼中心温度达到()可视为焦饼成熟。

考题 测量焦饼中心温度的目的是什么?在何种情况下,要测焦饼中心温度?

考题 焦饼中心温度一般控制在1000+50℃。

考题 成熟焦饼中心面上有一条缝称为()。

考题 焦饼中心温度是焦炭成熟的指标,一般生产中焦饼中心温度达()时焦饼已成熟。A、800±50℃B、900±50℃C、1000±50℃D、1100±50℃

考题 焦饼中心温度是评价焦炭均匀成熟的指标。

考题 用焦饼中心测温管测焦饼中心温度时,管端距炭化室底部约为()mm。A、300B、600C、800

考题 最能反映焦炭成熟的温度指标是()。A、炉顶空间温度B、焦饼中心温度C、直行温度D、横排温度

考题 判断焦饼成熟程度之一是:焦饼收缩良好,缝隙约10mm~15mm。

考题 如何判断炭化室焦饼成熟的程度?

考题 焦饼中心缝产生的主要原因()。A、加热程度太高B、煤的变质程度不够C、由于内部气体压力及半焦收缩D、集气管压力过大

考题 在出焦前从炭化室装煤孔处观察,若()就可以判断焦饼成熟良好。A、装煤孔处不冒大火焰B、炭化室内的焦饼呈金黄色C、炭化室内的焦饼形似佛手状D、焦饼收缩良好

考题 判断题推焦杆头接触焦饼开始进行推焦操作的时间称推焦时间。A 对B 错

考题 判断题判断焦饼成熟程度之一是:焦饼收缩良好,缝隙约10mm~15mm。A 对B 错

考题 多选题在出焦前从炭化室装煤孔处观察,若()就可以判断焦饼成熟良好。A装煤孔处不冒大火焰B炭化室内的焦饼呈金黄色C炭化室内的焦饼形似佛手状D焦饼收缩良好

考题 单选题焦饼中心缝产生的主要原因()。A 加热程度太高B 煤的变质程度不够C 由于内部气体压力及半焦收缩D 集气管压力过大

考题 问答题在什么情况下要测量焦饼中心温度?怎样测量焦饼中心温度?

考题 填空题成熟焦饼中心面上有一条缝称为()。

考题 判断题焦饼中心温度是评价焦炭均匀成熟的指标。A 对B 错

考题 单选题焦饼中心温度是焦炭成熟的指标,一般生产中焦饼中心温度达()时焦饼已成熟。A 800±50℃B 900±50℃C 1000±50℃D 1100±50℃