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单选题
半导体温度每升高10℃其反向饱和电流将()
A
增加一倍
B
减少一倍
C
基本不变
D
增加二倍
参考答案
参考解析
解析:
暂无解析
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考题
有关硅半导体二极管,下述哪条说法是不正确的?()A、其正向开启电压为0.6~0.7伏B、其反向饱和电流较小,但随温升高而加大C、其正向导通电阻陡,工作点电流加大而减小D、其正向导通的交流电阻与直流电阻相等
考题
关于反向饱和电流密度,以下说法中错误的是()A、p-n结两边掺杂浓度相差较大时,反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。B、在一定温度下,与Si材料相比,GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度,所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。C、p-n结两边掺杂浓度越高,越有利于降低反向饱和电流密度。D、与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。
考题
单选题有关硅半导体二极管,下述哪条说法是不正确的?()A
其正向开启电压为0.6~0.7伏B
其反向饱和电流较小,但随温升高而加大C
其正向导通电阻陡,工作点电流加大而减小D
其正向导通的交流电阻与直流电阻相等
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