考题
绝缘栅双极晶体管是一种新型复合器件,它具有的特点是()
A、驱动功率小，工作频率低，通态压降小B、驱动功率小，工作频率高，通态压降大C、驱动功率小，工作频率高，通态压降小
考题
下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单。A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场控晶体管
考题
场效晶体管也是一种具有放大能力的晶体管，但它的控制方式与晶体管不同，晶体管是利用输入电流去控制输出电流，是电流控制器件，而场效晶体管是利用输入电压来控制输出电流，是电压控制器件
考题
电力晶体管是（）控制型器件。A、电流B、电压C、频率D、功率
考题
下列器件中，（）属于不可控制电力电子器件。A、肖特基二极管B、晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应管
考题
快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是（）。A、功率晶体管B、IGBTC、功率MOSFETD、晶闸管
考题
目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、以及两者混合管和（）等等。A、晶闸管B、可控硅C、功率集成器件D、晶体管
考题
根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
考题
桓流驱动电路中加速电容C的作用是（）。A、加快功率晶体管的开通B、延缓功率晶体管的关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件
考题
恒流驱动电路中，电容C的作用是（）。A、加快功率晶体管开通B、延缓功率晶体管关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件
考题
可以用过电流继电器作为过电流保护的电力电子器件是（）。A、功率晶体管GTRB、IGBTC、功率MOSFETD、晶闸管
考题
根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
考题
双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTO。
考题
可以用过电流继电器作为过电流保护的电力电子器件是（）。A、功率晶体管（GTR）B、IGBTC、功率MOSFETD、晶闸管
考题
电力场效应晶体管（电力MOSFET）是理想的（）控制器件。A、电压B、电流C、电阻D、功率
考题
IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电压型驱动器件。
考题
电力电子开关器件的发展经历的四个阶段为：（）、（）、功率 场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。
考题
下列器件中，会发生二次击穿现象的有（）A、GTOB、功率晶体管C、功率场效应管D、1GBT
考题
电力场效应晶体管是理想的（）控制型器件A、电压B、电流C、电阻D、功率
考题
恒流驱动电路中，加速电容C的作用是（）。A、加快功率晶体管开通B、延缓功率晶体管关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件
考题
晶闸管是一种（）功率晶体管器件。其主要特点是（），（）。
考题
单选题功率开关器件可以说是开关电源的心脏，下面哪一种开关器件不是开关电源所采用的（）。A
MOSFET功率场效应管B
IGBT绝缘栅双极晶体管C
GTR晶闸管D
BJT双极型晶体管
考题
单选题快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是（）。A
功率晶体管B
IGBTC
功率MOSFETD
晶闸管
考题
判断题双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTR。A
对B
错
考题
单选题下列器件中为全控型器件的是（）。A
双向晶闸管B
快速晶闸管C
光控晶闸管D
功率场效应晶体管
考题
单选题桓流驱动电路中加速电容C的作用是（）。A
加快功率晶体管的开通B
延缓功率晶体管的关断C
加深功率晶体管的饱和深度D
保护器件
考题
单选题可以用过电流继电器作为过电流保护的电力电子器件是（）。A
功率晶体管（GTR）B
IGBTC
功率MOSFETD
晶闸管