考题
硅整流二极管的额定电压是指()。
A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、正向重复峰值电压
考题
晶闸管的额定电压是指()。
A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、正向不重复峰值电压
考题
UF指的是( )。A、正向平均电流B、正向压降C、反向重复峰值电压D、浪涌电流
考题
晶闸管正向阻断峰值电压的数值,规定比正向转折电压小()。
A、100VB、120VC、150VD、180V
考题
晶闸管断态重复峰值电压（又称正向阻断峰值电压）的数值，规定比正向转折电压小（）V。A、100B、120C、150D、180
考题
晶闸管正向阻断峰值电压的数值，规定比正向转折电压小（）。
考题
可控硅的主要特性参数有：正向阻断峰值电压PFV，反向阻断峰值电压PRV，额定正向平均电流IF，维持电流IH，控制级触发电压Vg，电压上升率dV/dt，电流上升率di/dt，额定结温Tc等。
考题
断开控制极后，能保证晶闸管不导通而允许重复加在阳极与阴极间的正向峰值电压，称为正向阻断峰值电压。
考题
当快速熔断器熔断时，应检查整流管的（）。A、反向重复峰值电压B、正向重复峰值电压
考题
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门即断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
考题
硅整流二极管的额定电压是指（）。A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复平均电压D、正向不重复平均电压
考题
硅整流二极管的额定电压是指（）。A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、以上答案均不对
考题
晶闸管的额定电压是指（）。A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、以上答案均不对
考题
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门极断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向阻断峰值电压，其值低于转折电压。
考题
当门极断开（Ig=0），元件处在额定结温时，正向重复峰值电压为正向不重复峰值电压（）%。A、70B、80C、90D、100
考题
晶闸管的额定电压是在（）中取较小的一个。A、正向重复峰值电压B、正向转折电压C、反向不重复峰值电压D、反向重复峰值电压E、反向击穿电压
考题
若晶闸管正向重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压是700V。
考题
可控硅主要参数有：正向阻断峰值电压、（）、（）、控制极触发电压、维持电流等。
考题
晶闸管的主要参数有（）。A、正向阻断峰值电压B、反向阻断峰值电压C、额定正向平均电流D、控制极触发电压
考题
一般地，晶闸管反向阻断峰值电压比正向阻断峰值电压大得多。
考题
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在控制极断开和正向阻断条件下的电压，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
考题
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在控制极断开和正向阻断条件一的电压，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
考题
通常所说多少伏的可控硅，是指它的（）是多少伏。A、正向阻断峰值电压B、正向转折电压C、整流电压D、整流电流
考题
单选题当门极断开（Ig=0），元件处在额定结温时，正向重复峰值电压为正向不重复峰值电压（）%。A
70B
80C
90D
100
考题
填空题晶闸管正向阻断峰值电压的数值，规定比正向转折电压小（）。
考题
单选题二极管能保持正向电流几乎为零的最大正向电压称为（）。A
死区电压B
击穿电压C
截止电压D
峰值电压