考题
型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为( )。
A、0.2 VB、0.7 VC、1 V
考题
二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。
考题
二极管2CZ54D的正向压降约为()。A、0.2VB、0.7VC、0.9VD、1.2V
考题
常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。
A.0.1B.0.3C.0.5D.0.7
考题
型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为（）。A、1VB、0.2VC、0.6V
考题
二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
考题
常温下，硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为（）V。A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7
考题
二极管正向导通后，正向管压降几乎不随电流变化。
考题
二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）
考题
硅二极管的正向导通压降约为（）A、0.7VB、0.5VC、0.3VD、0.2V
考题
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
考题
二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。A、0.6B、0.7C、0.8D、1.0
考题
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
在常温下，硅二极管的开启电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
考题
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
考题
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
考题
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
考题
试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低，且在稳态导通时其管压降不随电流的大小而变化。
考题
红色发光二极管导通时的正向压降约为（）。A、0.7VB、1.4VC、2.1VD、根据电流变化，无法确定
考题
二极管在正向电压作用下处于（）状态。如果不计二极管的正向压降，它相当于开关处于（）状态。
考题
单选题型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为（）。A
1VB
0.2VC
0.6V
考题
单选题常温下，硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为（）V。A
0.1B
0.3C
0.5D
0.7
考题
问答题试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低，且在稳态导通时其管压降不随电流的大小而变化。
考题
单选题发光二极管正常工作时的正向压降大约为（）A
0.2～0.3VB
0.6～0.7VC
1.5～3VD
0.1～1V
考题
单选题功率二极管的正向压降Ud约为（）。A
0.7VB
3VC
4VD
5V
考题
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
