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试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低，且在稳态导通时其管压降不随电流的大小而变化。

参考答案

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考题 型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为( )。 A、0.2 VB、0.7 VC、1 V
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考题 二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。
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考题 一个理想的功率半导体器件应该是在导通状态时,具有高的电流密度和低的导通压降。()
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考题 二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。
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考题 在采用万用表的欧姆挡检测二极管的极性时一般使用______挡，这是因为______。A.R×100／防止过压反向击穿二极管B.R×100／防止二极管导通时正向电流过大而烧坏C.R×1／防止过压反向击穿二极管D.R×1／防止二极管导通时正向电流过大而烧坏
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考题 硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。
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考题 常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。 A.0.1B.0.3C.0.5D.0.7
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考题 晶体二极管的特性，只有在（）时导通，而在反向电压时不能导通。A、正向电压B、正向电流C、正向电极D、正向电路
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考题 二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
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考题 常温下，硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为（）V。A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7
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考题 二极管正向导通后，正向管压降几乎不随电流变化。
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考题 实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取（），锗管一般为（）。
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考题 常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
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考题 二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。A、0.6B、0.7C、0.8D、1.0
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考题 在常温下，硅二极管的开启电压是（）V，导通后在较大电流下时正向压降约（）V。
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考题 在常温下，硅二极管的开启电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
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考题 在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
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考题 二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
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考题 在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
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考题 普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
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考题 锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
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考题 红色发光二极管导通时的正向压降约为（）。A、0.7VB、1.4VC、2.1VD、根据电流变化，无法确定
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考题 单选题常温下，硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为（）V。A 0.1B 0.3C 0.5D 0.7
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考题 问答题试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低，且在稳态导通时其管压降不随电流的大小而变化。
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考题 单选题晶体二极管的特性：只有在（）时导通，而在反向电压时不能导通。A 正向电压B 正向电流C 正向电极D 正向电路
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考题 填空题锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
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考题 填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
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