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问答题
试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低,且在稳态导通时其管压降不随电流的大小而变化。

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考题 二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。

考题 一个理想的功率半导体器件应该是在导通状态时,具有高的电流密度和低的导通压降。()

考题 二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。

考题 在采用万用表的欧姆挡检测二极管的极性时一般使用______挡,这是因为______。A.R×100/防止过压反向击穿二极管B.R×100/防止二极管导通时正向电流过大而烧坏C.R×1/防止过压反向击穿二极管D.R×1/防止二极管导通时正向电流过大而烧坏

考题 硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。

考题 常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。 A.0.1B.0.3C.0.5D.0.7

考题 晶体二极管的特性,只有在()时导通,而在反向电压时不能导通。A、正向电压B、正向电流C、正向电极D、正向电路

考题 二极管导通时的正向电压称为正向压降(或管压降)。一般正常工作时,硅管的正向压降是()V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7

考题 常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7

考题 管压降是指二级管导通时的()A、压降B、反向压降C、正向压降D、电压降

考题 二极管正向导通后,正向管压降几乎不随电流变化。

考题 二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()

考题 实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取(),锗管一般为()。

考题 常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。

考题 在常温下,硅二极管的开启电压是()V,导通后在较大电流下时正向压降约()V。

考题 在常温下,硅二极管的开启电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。

考题 在常温下,硅二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V,锗二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V。

考题 二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。

考题 在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。

考题 硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为()伏;其门坎电压Vth约为()伏。

考题 锗二极管工作在导通区时正向压降大约是(),死区电压是()。

考题 试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低,且在稳态导通时其管压降不随电流的大小而变化。

考题 红色发光二极管导通时的正向压降约为()。A、0.7VB、1.4VC、2.1VD、根据电流变化,无法确定

考题 单选题常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。A 0.1B 0.3C 0.5D 0.7

考题 单选题晶体二极管的特性:只有在()时导通,而在反向电压时不能导通。A 正向电压B 正向电流C 正向电极D 正向电路

考题 填空题锗二极管工作在导通区时正向压降大约是(),死区电压是()。

考题 填空题常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。