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题目内容
（请给出正确答案）
受探测方向限制的缺陷类型是（）
- A、平面型缺陷
- B、球型缺陷
- C、密集型缺陷
- D、点状缺陷
参考答案
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考题
根据JB／T4730－2005《承压设备无损检测》规定:相邻缺陷在同一直线上时,若其间距小于其中较小缺陷长度时,应作为一条缺陷处理,以两缺陷长度和作为其指示长度,其同一直线的含义是:()
A.相邻缺陷长度任意方向连成一直线。B.相邻缺陷长度方向在探测面投影连成一直线。C.相邻缺陷长度方向在垂直探测面投影连成一直线。D.相邻缺陷长度方向在一定宽度范围内连成一直线。
考题
下列有关磁化电流方向与缺陷方向之间关系的正确叙述是（）A、直接通电磁化时，与电流方向垂直的缺陷最容易探测到B、直接通电磁化时，与电流方向平行的缺陷最容易探测到C、直接通电磁化时，与电流方向无关，任何方向的缺陷都能探出D、用线圈法磁化时，与线圈内电流方向垂直的缺陷最容易探出
考题
下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）A、缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小B、在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响C、交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小D、在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受磁化方向影响；E、除A以外都对
考题
下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述（）是正确的。A、 在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时，缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响B、 交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小C、 当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时，缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响D、 以上都对
考题
单选题下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）A
缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小B
在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响C
交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小D
在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受磁化方向影响；E
除A以外都对
考题
单选题下列有关磁化电流方向与缺陷方向之间关系的正确叙述是（）A
直接通电磁化时，与电流方向垂直的缺陷最容易探测到B
直接通电磁化时，与电流方向平行的缺陷最容易探测到C
直接通电磁化时，与电流方向无关，任何方向的缺陷都能探出D
用线圈法磁化时，与线圈内电流方向垂直的缺陷最容易探出
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