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值称为共发射极电流放大系数，是晶体管的一个重要参数，也是检验晶体管经过硼、砷掺杂后的两个pn结质量优劣的重要标志。（）

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考题 晶体管的结构特点是()。 A、有一个PN结B、有二个PN结C、有三个PN结
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考题 晶体管的电流放大系数太小时,电流放大作用将();而电流放大系数太大时,又会使晶体管的性能()。
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考题 晶体管是由两个PN结构成的一种半导体器件,其中一个PN结叫做(),另一个叫做()。
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考题 二极管中电流(),晶体管中从C极到E极的电流(),场效应管的漏极电流()。 A、穿过两个PN结B、穿过一个PN结C、不穿过PN结D、穿过三个PN结
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考题 当晶体管的两个PN结都反偏时,则晶体管处于()。 A、饱和状态B、放大状态C、截止状态
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考题 晶体管能够放大的内部条件是()。 A.两个背靠背的PN结B.自由电子与空穴都参与导电C.有三个掺杂浓度不同的区域D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大
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考题 单结晶体管有一个PN结，两个基极，因此称为单结三极管。（）A.正确；B.错误
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考题 当扩散运动与漂移运动达到动态平衡时，即形成了___。当外加电压与内电场的方向相反时，它呈___状态，当外加电压与内电场的方向相同时，它将呈___状态，即___具有单向导电性。A、PN结；导通，截止；PN结B、晶体管；截止，导通；PN结C、晶体管；导通，截止；晶体管D、PN结；截止，导通；晶体管E、晶体管；截止，导通；晶体管
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考题 单结晶体管是由（）组成的。A、NPN管B、PNP管C、一个PN结D、两个基极
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考题 单结晶体管有（）。A、两个PN结，三个电极B、一个PN结，三个电极C、三个PN结，二个电极D、三个PN结，三个电极
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考题 pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数，也是评价（）的重要标志。A、扩散层质量B、设计C、光刻
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考题 单结晶体管是有一个PN结的三端（）器件。
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考题 晶体管共发射极交流放大系数用（）表示。A、αB、βC、ρD、κ
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考题 单结晶体管有一个PN结，两个基极，因此称为单结三极管。（）
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考题 普通双极型晶体管是由（）。A、一个PN结组成B、二个PN结组成C、三个PN结组成
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考题 温度升高，晶体管的电流放大系数β（），反向饱和电流ICBO（）正向结电压uBE（）。
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考题 电流放大系数为β1和β2的两个晶体管构成等效复合晶体管，其等复合管的β值约为（）。A、β1B、β2C、β1+β2D、β1•β2
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考题 两个PN结均为正偏时，晶体管工作在饱和状态；两个PN结均为反偏时，晶体管工作在截止状态。
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考题 在共发射极晶体管的放大电路中，当加有输入信号（动态）时，集电极电流的变化量ΔIc与基极电流变化量ΔIb的比值称为共发射极（）放大系数。A、交流电流B、直流电流C、功率D、电功
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考题 在共发射极晶体管的放大电路中，当无输入信号（静态）时，集电极电流Ic与基极电流Ib的比值称为共发射极（）放大系数。A、交流电流B、直流电流C、功率D、电功
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考题 单选题双极型晶体管有（）A 二个pn结B 一个pn结C 三个pn结D 没有pn结
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考题 填空题晶体管的共发射极直流短路电流放大系数是指（）结正偏、（）结零偏时的（）电流与（）电流之比。
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考题 填空题在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（）基区宽度，（）基区掺杂浓度。
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考题 填空题晶体管的一个重要高频参数是它的（）频率fT，它是晶体管的下降为时的工作频率。晶体管的结电容越小，其fT参数越大。
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考题 单选题单结晶体管有（）。A 两个PN结，三个电极B 一个PN结，三个电极C 三个PN结，二个电极D 三个PN结，三个电极
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考题 判断题单结晶体管有一个PN结，两个基极，因此称为单结三极管。（）A 对B 错
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考题 单选题晶体管中的“β”参数是（）。A 电压放大系数B 集电极最大功耗C 电流放大系数D 功率放大系数
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