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PVD与CVD相比，沉积温度（）

  • A、相同
  • B、低
  • C、高
  • D、有时高有时低

参考答案

更多 “PVD与CVD相比，沉积温度（）A、相同B、低C、高D、有时高有时低” 相关考题
考题 恒压比热CP和恒容比热CV相比()。 A、CP>CVB、CPC、CP=CVD、无法比较
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考题 制造陶瓷涂层发动机目前最佳的涂层方法是（）A、等离子喷涂法B、PVD法C、CVD法D、溶胶-凝胶工艺
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考题 （）是以物理的方法来进行薄膜沉积的一种技术。A、LPCVDB、PECVDC、CVDD、PVD
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考题 化学气相沉积的英文名称的缩写为（）。A、LVDB、PEDC、CVDD、PVD
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考题 下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。A、ARC可以是硅的氮化物B、可用干法刻蚀除去C、ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成D、ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层E、ARC膜也可以通过CVD的方法形成
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考题 与岩浆岩相比，沉积岩最显著特征是有（）和（）构造。
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考题 高速钢表面涂层工艺与硬质合金表面涂层技术类同，有（）两种。A、高温烧结和高温高压烧结B、化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）C、热压法（HP）和热等静压法（HIP）D、电镀法和电铸法
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考题 PVD与CVD相比，工件变形（）A、大B、小C、一样D、几乎没有
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考题 PVD沉积温度一般（）A、600℃以上B、600-650℃C、650-700℃D、700℃以上
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考题 关于CVD涂层，（）描述是不正确的。A、CVD对高速钢有极强的粘附性B、CVD是在700～1050℃高温的环境下通过化学反应获得的C、CVD涂层具有高耐磨性D、CVD表示化学气相沉积
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考题 生产超细颗粒的方法中PVD和CVD法分别指（）A、物理气相沉积法；B、化学气相沉积法；C、气相法；D、固相法
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考题 恒压比热Cp和恒容比热Cv相比（）A、Cp＞CvB、Cp＜CvC、Cp＝CvD、无法比较
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考题 利用气态化合物（或化合物的混合物）在基体受热表面发生化学反应，并在该基体表面生成固态沉积物的技术称（）。A、物理气相沉积（PVD）B、物理气相沉积（CVD）C、化学气相沉积（VCD）D、化学气相沉积（CVD）
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考题 物理气相沉积简称（）。A、LVDB、PEDC、CVDD、PVD
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考题 __________是糖尿病周围血管病(PVD)典型的临床症状，_____________是PVD的重要体征。
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考题 单选题化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较，下面哪些说法是正确的：（）。  1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长； 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上； 3.CVD SiO2，衬底硅不参加反应； 4.CVD SiO2，温度低。A 1、2B 2、4C 1、4D 1、2、4E 1、2、3、4
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考题 问答题解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别，哪种工艺依赖于温度，LPCVD和APCVD各属于哪种类型？
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考题 单选题利用气态化合物（或化合物的混合物）在基体受热表面发生化学反应，并在该基体表面生成固态沉积物的技术称（）。A 物理气相沉积（PVD）B 物理气相沉积（CVD）C 化学气相沉积（VCD）D 化学气相沉积（CVD）
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考题 问答题化学气相沉积（CVD）
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考题 问答题物理气相沉积（PVD）按沉积薄膜气相物质的生成方式和特征主要可以分为哪几种？
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考题 判断题CVD系统包括热壁式CVD系统和冷壁式CVD系统，在冷壁式CVD系统中侧壁温度与沉底温度相等。A 对B 错
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考题 问答题物理气相沉积（PVD）
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考题 问答题沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具，列举多晶硅作为栅电极的6个原因。
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考题 判断题CVD为化学气相沉积技术的简称。A 对B 错
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考题 问答题简述化学气相沉积（CVD）的优点。
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考题 名词解释题化学气相沉积（CVD）
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考题 单选题关于CVD涂层，（）描述是不正确的。A CVD表示化学气相沉积B CVD是在400~600℃的较低温度下形成C CVD涂层具有高耐磨性D CVD对硬质合金有极强的粘附性
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