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三极管的集电区面积比发射区面积（）。

  • A、大
  • B、相等
  • C、小
  • D、不确定

参考答案

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考题 三极管哪个区的掺杂浓度最高() A、基区B、发射区C、集电区D、不确定
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考题 关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积
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考题 关于三极管,不正确的描述是() A.基区薄且低掺杂B.发射区高掺杂C.发射结面积大D.集电结面积大
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考题 两个埋深和底面压力均相同的单独基础，在相同的非岩石类地基土情况下，基础面积大的沉降量与基础面积小的沉降量的关系如下列哪项所示？ （　　）A、基础面积大的沉降量比基础面积小的沉降量大 B、基础面积大的沉降量比基础面积小的沉降量小 C、基础面积大的沉降量与基础面积小的沉降相等 D、基础面积大的沉降量与基础面积小的沉降量关系按不同的土类别而定
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考题 PNP三极管工作特点是（）.A、发射区发射电子，集电区收集电子B、发射区发射空穴，集电区收集电子C、发射区发射电子，集电区收集空穴D、发射区发射空穴，集电区收集空穴
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考题 三极管的集电区、发射区用的是同一种杂质半导体，因此，可将三极管的集电极和发射极可以互换使用。
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考题 在采光计算中，考虑到方向性的影响，朝南的窗口面积要比朝北的窗口面积（）A、大B、相等C、小D、不确定
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考题 在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）。A、基区B、集电区C、发射区D、饱和区
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考题 氨蒸发器A蒸发面积比氨蒸发器B的蒸发面积（）。A、大B、小C、一样大D、不确定
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考题 三极管具有（）的特点。A、发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度B、基区非常薄C、集电区掺杂浓度较小，集电结的面积比发射结的面积大D、以上三项
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考题 晶体三极管是由（）个PN结组成，分成基区、发射区、集电区.
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考题 晶体管热噪声主要存在于（）电阻内。A、基区B、发射区C、集电区D、发射区和集电区
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考题 下列关于晶体三极管说法证确的是（）。A、发射区与基区交界处的PN结为发射结B、基区与集电区交界处的PN结为发射结C、发射区与基区交界处的PN结为集电结D、发射区与集电区交界处的PN结为集电结
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考题 叙述晶体三极管电流的传输过程（）。A、发射区向基区注入载流子过程B、少数载流子，在基区扩散与复合过程C、集电区收集载流子的过程D、基区向发射区注入载流子过程
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考题 晶体三极管从结构上划分，有如下：（）。A、发射区B、基区C、集电区D、放大区
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考题 切削面积相等时，切削宽度越大，切削力越。（）A、大B、小C、不变D、不确定
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考题 由于发射区和集电区的掺杂浓度以及面积不同，因此三极管的集发射与电极极不能互换使用。
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考题 三极管工作在放大状态时，发射区是（）载流子，基区则是作为输送和控制载流子的基地，集电区是（）载流子的。
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考题 三极管有（）型和（）型两种结构，三极管中集电区与基区之间的PN结称为（）结，基区与发射区之间的PN结成为（）结。
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考题 以下属于三极管放大的外部条件是（）A、发射区掺杂浓度高B、集电结反偏C、基区薄且掺杂浓度低D、集电结面积大
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考题 三极管最薄的区是（）。A、发射区B、集电区C、基区
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考题 半导体三极管工作过程中（）。A、发射区杂质浓度大于基区杂质浓度；B、发射区杂质浓度小于基区杂质浓度；C、发射区杂质浓度等于基区杂质浓度；D、发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。
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考题 三极管有三个PN结和三个区—发射区、集电区、基区。
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考题 单选题在采光计算中，考虑到方向性的影响，朝南的窗口面积要比朝北的窗口面积（）A 大B 相等C 小D 不确定
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考题 单选题GIS变电站通常比常规变电站的占地面积（）。A 大B 小C 相等D 不确定
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考题 填空题晶体三极管是由（）个PN结组成，分成基区、发射区、集电区.
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考题 判断题标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。A 对B 错
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