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薄膜沉积的机构包括那些步骤（）。

  • A、形成晶核
  • B、晶粒成长
  • C、晶粒凝结
  • D、缝道填补
  • E、沉积膜成长

参考答案

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考题 熔池中心的晶粒成长平均线速度与（）
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考题 熔池晶核长大时所增加的表面能形成晶核时所增加的表面能要小，所以，晶粒长大比形核所需的过冷度（）.A、要小B、要大C、相等
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考题 （）是因为吸附原子在晶片表面上彼此碰撞并结合所形成的。A、晶核B、晶粒C、核心D、核团
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考题 薄膜沉积的机构，依发生的顺序，可以分为这几个步骤。其中不包括（）。A、形成晶核B、晶粒自旋C、晶粒凝结D、缝道填补
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考题 下面哪一种薄膜工艺中底材会被消耗（）。A、薄膜沉积B、薄膜成长C、蒸发D、溅射
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考题 生产硫铵时，若晶核形成速度大于成长速度，得到的晶粒将将发生什么变化？
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考题 变质处理通过添加材料，促进（），从而达到细化晶粒的效果。A、晶粒减小B、晶粒长大C、晶核形成D、晶粒破碎
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考题 影响晶粒粗细的因素很多，但主要取决于晶核的数目。晶核愈多，晶核长大的余地（），长成的晶粒（）。A、愈小，愈细B、愈小，愈粗C、愈大，愈细D、愈大愈粗
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考题 焊接工艺参数对晶粒成长方向有影响。当焊接速度越大时，晶粒主轴的成长方向越（）于焊缝的中心线A、平行B、垂直C、弯曲D、相交
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考题 焊缝熔池的一次结晶过程包括熔池晶核的形成和熔池晶核的成长。
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考题 晶粒主轴的成长方向与结晶等温面正交，并且以弯曲的形状（）成长。A、向焊缝两侧B、向焊缝中心C、平行熔合线D、沿焊接方向
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考题 焊接工艺参数对晶粒成长方向有影响。当焊接速度越大时，晶粒主轴的成长方向越（）。A、平行B、垂直C、弯曲D、相交
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考题 结晶过程中，晶粒成长的方向以及平均线速度都是变化的，晶粒成长线速度在焊缝中心最大，在熔合线上最小，等于（）A、3/5焊速B、1/2焊速C、2/3焊速D、零
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考题 结晶过程包括晶核的形成和晶体的成长两个阶段。
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考题 沉积岩的结构是指构成沉积岩颗粒的性质、（）、（）及（）。沉积岩的主要结构类型有：碎屑结构、（）、晶粒结构、（）和（）结构。
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考题 内源沉积岩的结构按成因和特点大致可以分为四类：（）；（）；晶粒结构；（）。
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考题 金属的结晶包括（）和（）两过程，结晶核心越多，结晶后晶粒（），金属的力学性能（）
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考题 （）专指薄膜形成的过程中，并不消耗晶片或底材的材质。A、薄膜成长B、蒸发C、薄膜沉积D、溅射E、以上都正确
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考题 晶粒长大和再结晶晶核长大的驱动力有何不同，为什么织构会阻碍晶粒的长大？ 
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考题 单选题下列关于控制晶粒度的方法的说法，不正确的是（）A 孕育剂的作用是促进成核，阻止晶粒长大B 采用增强金属液的运动，如电磁搅拌、机械振动和超声波处理等方法，或促进形成晶核，或打碎正在生长的树枝晶增加晶核而达到细化晶粒的目的C 过冷度越大，越能细化晶粒D 生产中采用降低浇铸温度、减小铸型温度升高的速度、提高冷却速度的方法，均可以增大过冷度，从而可使晶粒细化
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考题 单选题影响晶粒粗细的因素很多，但主要取决于晶核的数目。晶核愈多，晶核长大的余地（），长成的晶粒（）。A 愈小，愈细B 愈小，愈粗C 愈大，愈细D 愈大愈粗
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考题 单选题金属结晶后，其晶粒的粗细与结晶时（）有关。A 形核率和形核速度B 形核速度和形核面积C 形核率和晶核长大速度D 晶粒度和晶核长大速度
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考题 填空题物理气相沉积法是利用（）将原料加热，使之汽化或形成（），在基体上冷却凝聚成各种形态的材料（如晶须、薄膜、晶粒等）的方法。其中以（）、（）较为常用。
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考题 问答题晶粒长大和再结晶晶核长大的驱动力有何不同，为什么织构会阻碍晶粒的长大？
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考题 填空题金属晶粒大小，取决于结晶时（）及晶核的（）。
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考题 填空题金属的结晶包括（）和（）两过程，结晶核心越多，结晶后晶粒（），金属的力学性能（）
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