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下面哪一种薄膜工艺中底材会被消耗()。

  • A、薄膜沉积
  • B、薄膜成长
  • C、蒸发
  • D、溅射

参考答案

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考题 薄膜浓缩的常用设备有A、升膜式蒸发器B、降膜式蒸发器C、刮板式薄膜蒸发器D、平膜式蒸发器E、离心式薄膜蒸发器

考题 易结垢的药液,适宜采用的薄膜蒸发器为A、升膜式蒸发器B、降膜式蒸发器C、刮板式薄膜蒸发器D、平膜式蒸发器E、离心式薄膜蒸发器

考题 薄膜蒸发常用方法是()A、升膜式蒸发B、降膜式蒸发C、刮板式薄膜蒸发D、离心式薄膜蒸发E、流化法

考题 除哪项外全部是薄膜浓缩的常用设备()A、升膜式蒸发器B、降膜式蒸发器C、刮板式薄膜蒸发器D、平膜式蒸发器E、离心式薄膜蒸发器

考题 薄膜蒸发是使液体形成薄膜状态而快速蒸发的操作。

考题 溅射法是由()轰击靶材表面,使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。A、电子B、中性粒子C、带能离子

考题 ()是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。A、蒸镀B、离子注入C、溅射D、沉积

考题 ()主要是以化学反应方式来进行薄膜沉积的。A、PVDB、CVDC、溅射D、蒸发

考题 ()是通过把被蒸物体加热,利用被蒸物在高温时的饱和蒸汽压来进行薄膜沉积的。A、蒸镀B、溅射C、离子注入D、CVD

考题 在半导体工艺中,如果淀积的薄膜不是连续的,存在一些空隙,则()。A、使薄膜的介电常数变大B、可能引入杂质C、可能使薄膜层间短路D、使薄膜介电常数变小E、可能使薄膜厚度增加

考题 薄膜沉积的机构包括那些步骤()。A、形成晶核B、晶粒成长C、晶粒凝结D、缝道填补E、沉积膜成长

考题 简述溅射成膜的原理,并举例说明哪种薄膜采用溅射方法成膜。

考题 哪一种是吸引式粘结()。A、纸张与卡纸B、薄膜与薄膜C、纸张与薄膜D、玻璃与铜版纸

考题 不属于磁控溅射隐透型光学显示薄膜技术的特点有()A、薄膜与基底的结合力强B、液晶分子列状排列C、镀膜均匀,可镀大面积薄膜D、透明性与玻璃接近

考题 薄膜蒸发浓缩

考题 薄膜蒸发的设备有()A、升膜式蒸发器B、降膜式蒸发器C、平膜式蒸发器D、刮板式薄膜蒸发器E、离心式薄膜蒸发器

考题 ()专指薄膜形成的过程中,并不消耗晶片或底材的材质。A、薄膜成长B、蒸发C、薄膜沉积D、溅射E、以上都正确

考题 三种薄膜蒸发器中()薄膜蒸发器目前应用范围较广

考题 用微孔薄膜滤过除菌,薄膜滤材的孔径一般应选用()μm以下的。

考题 薄膜蒸发器

考题 单选题除哪项外全部是薄膜浓缩的常用设备()A 升膜式蒸发器B 降膜式蒸发器C 刮板式薄膜蒸发器D 平膜式蒸发器E 离心式薄膜蒸发器

考题 填空题在挤出吹塑薄膜成型中,按照薄膜的牵引方向不同,挤出吹塑薄膜生产工艺可以分为()、()和()。

考题 单选题集成电路生产中,金属薄膜的沉积通常采用()A 溅射物理气相沉积B 蒸发物理气相沉积C 等离子增强化学气相沉积D 低压化学气相沉积

考题 多选题薄膜浓缩的常用设备有()A升膜式蒸发器B降膜式蒸发器C刮板式薄膜蒸发器D平膜式蒸发器E离心式薄膜蒸发器

考题 多选题薄膜蒸发的设备有()A升膜式蒸发器B降膜式蒸发器C平膜式蒸发器D刮板式薄膜蒸发器E离心式薄膜蒸发器

考题 填空题三种薄膜蒸发器中()薄膜蒸发器目前应用范围较广

考题 多选题薄膜蒸发常用方法是()A升膜式蒸发B降膜式蒸发C刮板式薄膜蒸发D离心式薄膜蒸发E流化法