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当断路器电容器的tanδ值不符合要求时,应综合分析tanδ与()的关系,查明原因。

  • A、绝缘电阻
  • B、电流
  • C、电压
  • D、并联均压电容值

参考答案

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考题 CVT电容分压器电容量和介质损耗角tanδ的测量结果:电容量与出厂值比较其变化量超过-5%或10%时要引起注意,tanδ不应大于0.5%。

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考题 断路器电容器大修后,10kV下的膜纸复合绝缘tanδ值不大于()。A、0.003B、0.0025C、0.002D、0.0015

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考题 轧辊咬入轧件的条件()。(μ为轧辊与轧件之间的摩擦系数)A、μ>tanαB、μ<tanαC、μ=tanαD、tanα与μ无关

考题 常温下,测得再生介损不符合标准时,对油升温至90Cº时的tanδ值应不大于()。A、0.1%B、0.3%C、0.5%D、0.8%

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考题 复合斜面夹角θ交线的方位计算表达式正确的是()A、tanα=tanαncosβB、tanφ=tanα/tanβC、tanθ=tanα/sinφD、tanθ=tanα/sinω

考题 关于θ角,表达式正确的是()。A、tanθ=tanβ/sinφB、tanθ=tanα/sinφC、tanθ=tanα/sinβD、tanθ=tanβ/cosφ

考题 断路器电容器大修后,10kV下的油纸绝缘tanδ值不大于()。A、0.003B、0.004C、0.005D、0.006

考题 500kV变压器绕组连同套管的tanδ值,在20℃时测得tanδ值为0.8%合格。

考题 当试品绝缘中存在气隙时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈闭合的环状曲线。

考题 tanδ测试时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈开口环曲线,则试品属于()。A、良好绝缘B、绝缘中存在气隙C、绝缘受潮

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考题 当电容型电流互感器末屏对地绝缘电阻小于1000MΩ时,应测量末屏对地tanδ,其值不大于()%。

考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时,温度对tanØ测量结果影响很大。尤其当试验温度小于0℃或天气潮湿(相对湿度大于85%)条件下测得的tanØ值,不能反映设备的实际绝缘状况。

考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时,设备温度不同,所测得的tanØ值不同。但可以用一个典型的温度换算系数进行tanØ的温度换算。

考题 按功率因数的提高数值确定无功补偿电容器的电容量时应使用()。A、QC=P(tanφ1-tanφ2)B、QC=U2/XCC、C=2πfU2D、C=P(tanφ1-tanφ2)/2πfU2

考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时,试验电源频率对测量值有一定影响。在一频率范围内,随频率的增加,tanØ值增加。当超过某一频率f0时,tanØ值随频率的增加而下降。这是由介质内极化分子“转向”能否跟上频率变化所决定的。

考题 如果φ1和φ2分别表示并联电容器补偿前和补偿后的平均功率因数角,P表示有功功率,Q表示无功功率,则如下表达式正确的为()。A、Q=P(tanφ1-tanφ2)B、P=Q(tanφ1—tanφ2)C、Q=P(tanφ1+tanφ2)D、P=Q(tanφ1+tanφ2)

考题 500kV电抗器绕组连同套管的tanδ值,在20℃时测得tanδ值不大于()。A、0.4%B、0.5%C、0.6%D、0.8%

考题 少油断路器和空气断路器一般不作介质损失角正切值tanδ测量。

考题 35kV变压器绕组连同套管的tanδ值,在20℃时测得tanδ值为1.5%不合格。

考题 有n个试品的介质损耗因数分别为tanδl、tanδ2、tanδ3、…、tanδn,若将它们并联在一起测得的总tanδ值必为tanδl、…、tanδn中的()。A、最大值B、最小值C、平均值D、某介于最大值与最小值之间的值

考题 按提高运行电压需要来确定补偿容量时应使用()。A、QC=PCOSφB、Qc=P(tanφ1-tanφ3)C、Qc=U2ΔU/XD、C=P(tanφ1-tanφ2)/2πfU3