考题
tanδ能反映绝缘的整体性缺陷和小电容试品中的严重局部性缺陷。A对B错
考题
当试品绝缘受潮时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈开口环曲线。A对B错
考题
当被试品具有较大电容时，tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。A对B错
考题
西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A对B错
考题
温度对tanδ测试结果具有较大影响，一般同一被试设备，tanδ随温度的升高而升高。A对B错
考题
当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成反比。A对B错
考题
当被试品具有较大电容时，tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。A对B错
考题
当试品绝缘中存在气隙时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈闭合的环状曲线。A对B错
考题
当被试品本身电容量较大时，可采用串并联谐振法进行交流耐压试验。
考题
西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。
考题
当被试品具有较大电容时，tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。
考题
当试品绝缘受潮时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈开口环曲线。
考题
当试品绝缘中存在气隙时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈闭合的环状曲线。
考题
当被试品具有较大电容时，tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。
考题
tanδ能反映绝缘的整体性缺陷和小电容试品中的严重局部性缺陷。
考题
当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成反比。
考题
tanδ测试时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈开口环曲线，则试品属于（）。A、良好绝缘B、绝缘中存在气隙C、绝缘受潮
考题
温度对tanδ测试结果具有较大影响，一般同一被试设备，tanδ随温度的升高而升高。
考题
具有较大电感或对地电容的被试品在测量直流电阻后，应对被试品进行（）。A、隔离B、短路C、接地放电
考题
测量介损tgδ和测量绝缘电阻一样，试品的表面泄漏对测量结果有一定影响，并且（）。A、试品电容量较大，影响较小B、试品电容量较大，影响较大C、与试品电容量无关
考题
判断题当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成反比。A
对B
错
考题
单选题tanδ测试时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈开口环曲线，则试品属于（）A
良好绝缘B
绝缘中存在气隙C
绝缘受潮
考题
判断题温度对tanδ测试结果具有较大影响，一般同一被试设备，tanδ随温度的升高而升高。A
对B
错
考题
判断题tanδ能反映绝缘的整体性缺陷和小电容试品中的严重局部性缺陷。A
对B
错
考题
判断题当被试品具有较大电容时，tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。A
对B
错
考题
填空题tanδ能反映绝缘的（）和小电容试品中的严重（）。由随（）的变化曲线，可判断绝缘是否受潮、含有气泡及老化的程度。
考题
判断题当试品绝缘受潮时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈开口环曲线。A
对B
错