网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：
题目内容
（请给出正确答案）
某高压电气设备测量的介质损耗因数tgδ结果如下：有缺陷部分C1=250PF，tgδ1=5%；良好部分C2=10000PF，tgδ2=0.4%。两部分并联后，整体的tgδ与（）接近。
- A、4%
- B、2%
- C、0.5%
- D、0.25%
参考答案
更多 “某高压电气设备测量的介质损耗因数tgδ结果如下：有缺陷部分C1=250PF，tgδ1=5%；良好部分C2=10000PF，tgδ2=0.4%。两部分并联后，整体的tgδ与（）接近。A、4%B、2%C、0.5%D、0.25%” 相关考题
考题
有关Tg的描述错误的是A、血清中的Tg来源于甲状腺组织B、Tg受TSH调节C、Tg的水平与合成Tg细胞分化程度无关D、Tg水平升高提示DTC复发E、血清中Tg抗体的存在可影响Tg的测定结果
考题
某单位欲将功率因数值由cosφ1，提高至cosφ2，则所需装设的补偿电容器应按（）式选择A、Qc=P（cosφ1-cosφ2）B、Qc=P（cosφ2-cosφ1）C、Qc=P（tgφ1-tgφ2）D、Qc=P（tgφ2-tgφ1）
考题
若设备组件之一的绝缘试验值为tgδ1＝5%，C1＝250pF；而设备其余部分绝缘试验值为tgδ2＝0.4%，C2＝10000pF，则设备整体绝缘试验时，其总的tgδ值与（）接近A、0.003B、0.005C、0.045D、0.027
考题
某单位欲将功率因数值由COSφ1，提高至COSφ2，则所需装设的补偿电器应按（）式选择。A、Qc=P（COSφ1-COSφ2）B、Qc=P（COSφ2-COSφ1）C、Qc=P（tgφ1-tgφ2）D、Qc=P（tgφ2-tgφ1）
考题
现场用电桥测量介质损耗因数，出现－tgδ的主要原因：①标准电容器CN有损耗，且tgδN＞tgδx；②电场干扰；③试品周围构架杂物与试品绝缘结构形成的空间干扰网络的影响；④空气相对湿度及绝缘表面脏污的影响。
考题
有n个试品的介质损耗因数分别为tgδ1、tgδ2、tgδ3、……、tgδn，若将它们并联在一起测得的总tgδ值必为tgδ1、……、tgδn中的（）。A、最大值；B、最小值；C、平均值；D、某介于最大值与最小值之间的值。
考题
若设备组件之一的绝缘试验值为tgδ1＝5%，C1＝250pF；而设备其余部分绝缘试验值为tgδ2＝0.4%，C2＝10000pF，则设备整体绝缘试验时，其总的tgδ值与（）接近。A、0.3%；B、0.5%；C、4.5%；D、2.7%。
考题
用倒相法消除外电场对tgδ测量的干扰，需要先在试验电源正、反相两种极性下，测量两组数据：C1tgδ1、C2tgδ2，然后按公式（）计算出试品的实际的tgδ值。A、tgδ=（tgδ1+tgδ2）/2B、tgδ=（C1tgδ1+C2tgδ2）/（C1-C2）C、tgδ=（C1tgδ1+C2tgδ2）/（C1+C2）D、tgδ=（C2tgδ1+C1tgδ2）/（C1+C2）
考题
关于电容型电流互感器高压介质损测量，下列说法正确的是（）。A、绝缘良好的设备tgδ值不随试验电压的升高而偏大，只在接近额定电压时才略微增加B、绝缘严重受潮的设备在较低的电压下，tgδ值就较大，随着电压的升高tgδ值增大C、发生气隙局放设备达到局放起始放电电压时，tgδ急剧增高D、绝缘中含有离子型杂质的设备，tgδ随电压上升而下降
考题
单选题某高压电气设备测量的介质损耗因数tgδ结果如下：有缺陷部分C1=250PF，tgδ1=5%；良好部分C2=10000PF，tgδ2=0.4%。两部分并联后，整体的tgδ与（）接近。A
4%B
2%C
0.5%D
0.25%
考题
判断题一个由两部分并联组成的绝缘，其整体的tg∮等于该两部分的tg∮1与之tg∮2和。A
对B
错
热门标签
最新试卷