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某N沟道场效应晶体管测得UGS=0时，漏极电流Id=10mA，则该管的类型为（）。

  • A、耗尽型管
  • B、增强型管
  • C、绝缘栅型
  • D、无法确定

参考答案

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考题 增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
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考题 功率场效应晶体管一般为()。A、N沟道耗尽型B、N沟道增强型C、P沟道耗尽型D、P沟道增强型
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考题 结型场效应管的UGS跟ID的关系，下述答案中正确的是（）A、UGS＝UP，ID＝0B、UGS＝0，ID＝0C、UGS＝UP，IP＝IDSSD、UGS＜UP，IP＝0
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考题 耗尽型场效应管在uGS=0时也会在漏、源极之间形成导电沟道。
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考题 结型场效应管的工作实质是通过改变UGS来控制沟道电阻的大小，从而实现UGS和ID的控制。
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考题 当uGS=0时，漏源间存在导电沟道的称为（）型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为（）型场效应管。
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考题 使结型场效应管ID=0的临界栅源电压称为（夹断）电压，N沟道JFET的UGS（off）（）0，P沟道JFET的UGS（off）（）0。
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考题 某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管
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考题 FET工作在可变电阻区时，iD与uGS基本上是（）关系，所以在这个区域中，FET的d、s极间可以看成一个由uGS控制的（）。
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考题 当场效应晶体管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）A、增大B、不变C、减小D、无法确定
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考题 单选题绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）A P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B 增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管C N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
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考题 填空题在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。
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考题 单选题有n个试品并联在一起测量直流泄漏电流，测得值为I，则流过每个试品的泄漏电流必（）A 不大于IB 大于IC 等于ID 小于1／n
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