考题
场效应管的工作原理是()
A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
考题
场效应管的沟道完全夹断后，其漏极电流iD( )。A.很大B.随VDS变化C.较小D.等于0
考题
增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。
A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
考题
二极管中电流(),晶体管中从C极到E极的电流(),场效应管的漏极电流()。
A、穿过两个PN结B、穿过一个PN结C、不穿过PN结D、穿过三个PN结
考题
场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。
A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流
考题
当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将()
A.增大B.不变C.减小D.不确定
考题
场效应管的工作原理是利用栅极电压对()电流的控制作用来作为放大器件。
A.原极；B.漏极；C.栅极；
考题
功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
考题
双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应管为电压控制
考题
三极管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、三极管为电压控制，场效应管为电流控制D、三极管为电流控制，场效应管为电压控制
考题
场效应管与三极管相似，但两者的控制特性却截然不同，三极管是电压控制元件，场效应管是电流控制元件。（）
考题
三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。A、电压、电压B、电压、电流C、电流、电流D、电流、电压
考题
场效应管是利用外加电压产生的（）来控制漏极电流的大小的。A、电流B、电场C、电压
考题
场效应管中，夹断电压表示漏极电流为（）时的栅源电压。
考题
场效应管的工作原理是利用栅极电压对（）电流的控制作用来作为放大器件。A、原极；B、漏极；C、栅极；
考题
场效应管的漏极电流ID从1A增加到3A，它的跨导将（）。A、增大B、减小C、不变
考题
场效应管是通过（）改变漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压
考题
场效应管是通过改变（）来改变漏极电流的，所以是一个（）控制的（）器件。
考题
场效应管工作在饱和区时，其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈（）关系。
考题
场效应管共漏极放大电路的信号是从（）A、栅极输入，漏极输出B、源极输入，漏极输出C、栅极输入，源极输出D、漏极输入，源极输出
考题
场效应管跨导gm表示（）对漏电流iD的控制能力的强弱。
考题
场效应管是利用外加电压产生的（）来控制漏极电流的大小的，因此，称它为（）控制电流的器件。
考题
场效应管漏极电流由（）的漂移运动形成。A、少子B、电子C、多子D、两种载流子
考题
当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。A、增大B、不变C、减小
考题
三极管是电流控制器件，场效应管是电压控制器件。
考题
场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强。
考题
单选题场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）A
栅极电流B
栅源电压C
漏源电压D
栅漏电压