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23、非对称IGBT就是指版图结构不对称的IGBT。


参考答案和解析
绝缘栅双极型晶体管,电压型
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考题 IGBT斩波调速是通过改变IGBT导通和关断时间的比值调节电机平均电压,调速过程中能量损耗极小。() 此题为判断题(对,错)。

考题 SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。 A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBTB.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBTC.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFED.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE

考题 IGBT是电流控制型器件。()

考题 简述IGBT的特点。

考题 IGBT是以______为主导元件、______为驱动元件的达林顿结构器件。

考题 变流器IGBT故障的触发条件是主控发出变流启动信号,变流器IGBT OK信号丢失持续()ms,报此故障.

考题 双馈风机变频器并网前必须完成的项目不包括()。A、直流预充电B、转矩加载C、网侧IGBT调制D、转子侧IGBT调制

考题 双馈风机变频器并网前必须完成的项目包括()A、直流预充电B、转矩加载C、网侧IGBT调制D、转子侧IGBT调制

考题 GBT与场管的区别,正确的有()A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路,场管适合200KHZ以下的逆变电路

考题 说明IGBT的结构组成特点。

考题 IGBT及其变频器有哪些主要优点?

考题 IGBT驱动电路大多采用集成式电路。

考题 ()简称IGBT。

考题 IGBT与场管的区别,正确的有()A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路,场管适合200KHZ以下的逆变电路

考题 不属于IGBT管特点的是()A、IGBT管为混合器件B、驱动功率容量小C、电流等级为10A—400AD、IGBT管是一种电流型器件

考题 IGBT的驱动由()来控制开通和关断。

考题 为防止IGBT的误导通,通常在正向驱动脉冲以外的时刻对IGBT的栅极施加关断负偏压,例如电车直流机组用的IGBT所选择的负偏压数值为-24V。

考题 IGBT的主体部分与GTR类似,控制部分与场效应管类似,下面属于IGBT具有的优点的有()A、电磁噪音很小B、电流波形大为改善,电机的转矩增大C、IGBT管二次击穿现象小D、最大管子容量比GTO管大的多

考题 IGBT是指()。

考题 IGBT

考题 说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。

考题 简述更换IGBT直流母排的注意事项

考题 IGBT有哪些突出优点?

考题 IGBT的开关频率是多少?

考题 判断题为防止IGBT的误导通,通常在正向驱动脉冲以外的时刻对IGBT的栅极施加关断负偏压,如电车直流机组用的IGBT所选择的负偏压数值为-24V。A 对B 错

考题 单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中,哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件()。A GTO和GTR;B TRIAC和IGBT;C MOSFET和IGBT;D SCR和MOSFET;

考题 填空题变流器IGBT故障的触发条件是主控发出变流启动信号,变流器IGBT OK信号丢失持续()ms,报此故障.

考题 多选题双馈风机变频器并网前必须完成的项目包括()A直流预充电B转矩加载C网侧IGBT调制D转子侧IGBT调制