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GTO与SCR一样都是PNPN四层三端电流控制型器件。


参考答案

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考题 SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。 A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBTB.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBTC.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFED.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE

考题 GTO是电压驱动型器件。()

考题 半导体三极管是一种()。 A.电压控制电压的器件B.电压控制电流的器件C.电流控制电流的器件D.电流控制电压的器件

考题 下列大功率半导体器件中的()是全控型器件,但不是电流型器件。 A、GTRB、SCRC、IGBTD、GTO

考题 LED数码管()。A、属于电压控制型器件B、属于电流控制型器件

考题 半导体三极管是一种()。A、电压控制电压的器件B、电压控制电流的器件C、电流控制电流的器件D、电流控制电压的器件

考题 场效应三极管与普通三极管一样都是电压控制器件。

考题 GTO、GTR、IGBT均属于全控型器件。

考题 下列全控型开关器件中属于电流型驱动的有()。A、GTRB、IGBTC、MOSFETD、达林顿管E、GOT(GTO)

考题 三级管属于()A、单极性电压控制型器件B、双极性电压控制型器件C、单极性电流控制型器件D、双极性电流控制型器件

考题 半导体三极管是一种()。A、电压控制电压的器件B、电压控制电流的器件C、电流控制电流的器件

考题 GTO一种全控型电力电子器件。

考题 为什么普通晶闸管是半控型器件,而GTO是全控型器件?

考题 GTO与SCR一样都是PNPN四层三端电流控制型器件,为什么GTO可以控制其关断,而SCR不行?

考题 双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTO。

考题 下列两种电力电子器件中均属于全控型器件的是()A、GTO和SCRB、GTR和电力二极管C、GTR和SCRD、GTO和GTR

考题 下列为电力电子电流型控制器件的是()。A、GTOB、GTRC、P-MOSFETD、SCR

考题 在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是(),属于半控型器件的是(),属于全控型器件的是();属于单极型电力电子器件的有(),属于双极型器件的有(),属于复合型电力电子器件得有();在可控的器件中,容量最大的是(),工作频率最高的是(),属于电压驱动的是电力()属于电流驱动的是()。

考题 GTO与GTR同为电流控制器件,前者的触发信号与后者的驱动信号有哪些异同?

考题 在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。

考题 GTO与可控硅的主要区别是()A、GTO没有控制极B、可控硅电流大C、可控硅在没导通前,控制极不起作用D、GTO为可关断的可控硅

考题 问答题GTO与SCR一样都是PNPN四层三端电流控制型器件,为什么GTO可以控制其关断,而SCR不行?

考题 判断题GTO与SCR一样都是PNPN四层三端电流控制型器件。A 对B 错

考题 单选题GTO是()型器件。A 全控B 半控

考题 问答题为什么普通晶闸管是半控型器件,而GTO是全控型器件?

考题 填空题在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。

考题 问答题GTO与GTR同为电流控制器件,前者的触发信号与后者的驱动信号有哪些异同?