考题
半导体光纤温度计是利用某些半导体材料具有极陡的吸收光谱,对光的吸收随着温度的升高而明显降低的性质制成的。()
此题为判断题(对，错)。
考题
半导体与绝缘体有十分类似的能带机构,只是半导体的禁带宽度要窄得多。()
此题为判断题(对，错)。
考题
若光子能量足够大，则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量，从价带越过禁带到达导带。()
考题
半导体材料的能带结构为半满带或空带与价带有重叠。（）
考题
哪种半导体材料具有记忆特征（）A、本征半导体B、化合物半导体C、有机半导体D、玻璃半导体
考题
禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。A、越不容易受B、越容易受C、基本不受
考题
禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。
考题
氮化镓、碳化硅、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。
考题
热电偶的测温原理是导体或半导体材料的热电效应原理。
考题
为什么锗半导体材料最先得到应用，而现在的半导体材料却大都采用硅半导体？
考题
本征半导体（纯半导体）的Eg小于掺杂质半导体
考题
为了实现光电转换效率高的太阳能电池，太阳光谱的整合是必要的，太阳能电池材料的禁带宽度Eg为（）左右，认为是最合适的，Eg为（）的GaAS及1.35ev的InP等应该是合适的。
考题
半导体材料导电能力的大小，由半导体内载流子的数目决定。
考题
半导体应变片的灵敏系数比金属丝（），但是半导体材料的温度系数（），应变时非线性比较（），适用范围（）。工作原理基于半导体材料的（）。
考题
二极管是（）。A、由半导体材料制成的，有正、负极B、由导体材料制成的，有正、负极C、由绝缘材料制成，有正、负极D、由半导体或导体材料制成，无正、负极
考题
单选题材料的禁带宽度，最大的是（）A
金属；B
杂质半导体；C
绝缘体；D
本征半导体；
考题
填空题P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。
考题
单选题二极管是（）。A
由半导体材料制成的，有正、负极B
由导体材料制成的，有正、负极C
由绝缘材料制成，有正、负极D
由半导体或导体材料制成，无正、负极
考题
单选题半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A
价带，导带B
价带，禁带C
禁带，导带D
导带，价带
考题
单选题哪种半导体材料具有记忆特征（）A
本征半导体B
化合物半导体C
有机半导体D
玻璃半导体
考题
判断题氮化镓、碳化硅、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。A
对B
错
考题
判断题基于霍尔效应工作的半导体元件多采用P型半导体材料。A
对B
错
考题
填空题制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片，称为硅片或（）。在硅片制造厂，由硅片生产的半导体产品，又被称为（）或（）。
考题
判断题发生本征吸收的条件是光子能量必须大于半导体的禁带宽度。A
对B
错
考题
判断题发光二极管辐射光的峰值波长与材料的禁带宽度Eg无关。A
对B
错