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CIS的禁带宽度为（），是与太阳能电池最适宜的禁带宽度1.4ev偏小的值

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考题 动态补偿力矩与带材宽度、卷材卷径及带材加速度有关,尤其与带材宽度关系最大。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 对ZnO性质和应用描述错误的是()。 A、禁带宽度比较大B、间接带隙C、可以作蓝光LEDD、可以作透明电极
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考题 导体材料的能带结构为禁带宽度小于2eV（）
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考题 下列不是能带的是（）.A、价带B、电带C、导带D、禁带
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考题 禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。A、越不容易受B、越容易受C、基本不受
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考题 氢化非晶硅的禁带宽度可调，含氢量增加，禁带宽度（）；在非晶硅中掺入Ge元素，其禁带宽度（）。
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考题 什么是允带？什么是禁带？
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考题 热轧板带其厚度为（），宽度为（）宽度在（）以下为窄带，宽度大于（）为宽带。
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考题 禁带（Band Gaps）
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考题 与绝缘体相比较，半导体能带结构的特点是（）。A、导带也是空带B、满带与导带重合C、满带中总是有空穴，导带中总是有电子D、禁带宽度较窄
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考题 禁带物品是指什么？
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考题 禁带物品有哪些？
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考题 存在具有最低禁带宽度εɡ的Hω-QVOC的损失，此损失叫做（）。
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考题 为了实现光电转换效率高的太阳能电池，太阳光谱的整合是必要的，太阳能电池材料的禁带宽度Eg为（）左右，认为是最合适的，Eg为（）的GaAS及1.35ev的InP等应该是合适的。
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考题 GaAs以及InP的禁带宽度分别为（）；（），与高效率最适合的1.4ev~1.5ev相近。
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考题 非晶硅太阳能电池禁带宽度通常为（）A、1.6--1.7eVB、1.5--1.6eVC、1.7--1.8eVD、1.1--1.2eV
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考题 公路路基宽度为车道宽度与路肩宽度之和，当设置有中间带时应计入这部分宽度
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考题 p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。A、满带中B、导带中C、禁带中，但接近满带顶D、禁带中，但接近导带底
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考题 布里渊区的界面附近，费米面和能级密度函数有何变化规律？哪些条件下会发生禁带重叠或禁带消失现象？试分析禁带的产生原因。
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考题 问答题什么是满带、导带和禁带？
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考题 判断题公路路基宽度为车道宽度与路肩宽度之和，当设置有中间带时应计入这部分宽度A 对B 错
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考题 单选题半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A 价带，导带B 价带，禁带C 禁带，导带D 导带，价带
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考题 名词解释题禁带宽度
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考题 填空题在异质结双极晶体管中，发射区的禁带宽度（）于基区的禁带宽度，从而使异质结双极晶体管的（）大于同质结双极晶体管的。
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考题 单选题非晶硅太阳能电池禁带宽度通常为（）A 1.6--1.7eVB 1.5--1.6eVC 1.7--1.8eVD 1.1--1.2
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考题 单选题在光电转换过程中，Si比GaAs量子效率低，因为其（）。A 禁带较窄B 禁带较宽C 禁带是间接跃迁型D 禁带是直接跃迁型
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考题 单选题异质结太阳能电池通常（）。A 禁带宽度完全相同的两种材料组成B 由禁带宽度不同的两种材料组成C 由一种材料构成
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