考题
通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。A、光刻胶B、衬底C、表面硅层D、扩散区E、源漏区
考题
干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？
考题
根据原理分类，干法刻蚀分成几种？各有什么特点？
考题
不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是（）。A、CHF3B、C2F6C、C3F8D、HF
考题
在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。A、单晶硅刻蚀B、多晶硅刻蚀C、二氧化硅刻蚀D、氮化硅刻蚀
考题
多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。A、二氧化硅B、氮化硅C、单晶硅D、多晶硅
考题
哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
考题
为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。A、多晶硅B、单晶硅C、铝硅铜合金D、铜
考题
单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。A、氮化硅B、二氧化硅C、光刻胶D、多晶硅
考题
下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。A、二氧化硅氮化硅B、多晶硅硅化金属C、单晶硅多晶硅D、铝铜E、铝硅
考题
由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。A、刻蚀速率B、选择性C、各向同性D、各向异性
考题
问答题哪种化学气体通常用来刻蚀多晶硅，为什么这种化学气体替代了氟基化学气体？
考题
判断题通常湿法刻蚀的刻蚀轮廓比干法刻蚀好。A
对B
错
考题
问答题哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
考题
判断题在刻蚀中用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀二氧化硅。A
对B
错
考题
填空题在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。
考题
问答题为什么多晶硅的干法刻蚀要采用氯基气体而不是氟基气体？
考题
问答题列举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点，干法刻蚀的不足之处是什么？
考题
问答题列出在干法刻蚀中发生刻蚀反应的六种方法？
考题
问答题什么是干法刻蚀？什么是湿法刻蚀？比较二者的优缺点。