网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)

用末端屏蔽法测量串级式电压互感器tgδ的具体接法是:高压绕组A端加压,X端和底座接地;二次测量绕组和辅助绕组均短接后与电桥CX引线相连;电桥按正接线方式工作


参考答案

更多 “用末端屏蔽法测量串级式电压互感器tgδ的具体接法是:高压绕组A端加压,X端和底座接地;二次测量绕组和辅助绕组均短接后与电桥CX引线相连;电桥按正接线方式工作” 相关考题
考题 采用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的介损tgδ时,其值主要反映()A、全部绕组的绝缘状态B、1/2绕组的绝缘状态C、1/4绕组绝缘状态D、只反映下部铁芯绕组绝缘状态,即110V级1/2绕组、220kV级1/4绕组的绝缘状态

考题 用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的tg∮具体接法是:高压绕组A端加压,X端和底座接地;二次测量绕线和辅助绕组均短接后与电桥CX引线相连;电桥按正接线方式工作。

考题 用未端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的介损tgδ时,其电容量应是整体电容量的()。A、1/8B、1/4C、1/2D、1/6

考题 电压互感器变比的低压测量法是在高压绕组接入()电源,分别测量高、低压各对应相的电压。A、高压B、低压C、高压或低压D、无规定

考题 采用QS1电桥测量串级式电压互感器支架介损tgδ值时,可选择的接线方法是()。A、自激法B、末端加压法C、末端屏蔽法

考题 用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ,在试品底座法兰对地绝缘,电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下,其测得值主要反映()的绝缘状况A、一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地B、处于下铁芯下芯柱的1/4一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地C、处于下铁芯下芯柱的的1/4一次绕组端部对二次绕组端部之间的及下铁芯支架对壳之间D、上下铁芯支架

考题 电压互感器绕组绝缘介质损耗因数要求串级式不大于()A、0.02B、0.005C、0.007D、0.009

考题 测量35kV及以上全绝缘的电压互感器的介损tgδ,其绕组一次首尾端短接后加压,其余绕组首尾端短路接地,此方法一般称为()。A、常规法(短路法)B、激磁法C、间接法D、末端加压法

考题 500kV电容式电压互感器不拆高压引线测量tgδ时,适用的方法不包括()。A、反接屏蔽法B、正接法C、自激法D、末端加压法

考题 采用末端屏蔽法是测量串级式电压互感器介损tgδ的方法之一。其方法是高压端A加压,X端和底座接地,二、三次短路后,引入介损仪,采用正接线。

考题 用末端加压法测量110kV串极式电压互感器的tgδ,首端A开路,Cx接二次x、xD。

考题 由于串级式高压电磁式电压互感器的绕组具有电感的性质,所以对其进行倍频感应耐压试验时,无需考虑容升的影响。

考题 现场测量500kV双断口断路器的并联电容器tgδ时,宜采用()。A、反接屏蔽法B、正接法C、反接法D、末端加压法

考题 测量110kV干式电流互感器tgδ时,适宜采()。A、反接屏蔽法B、正接法C、反接法D、末端加压法

考题 用自激法测量110kV电容式电压互感器介损及电容量,操作不正确的是()。A、拆除高压引线B、将中间变压器高压绕组接地端断开C、电桥输出电压10000VD、电桥输出电压不能过高

考题 串级式PTtgδ测量时,常规法要二、三次线圈短接,而自激法、末端屏蔽法、末端加压法却不许短接,为什么?

考题 采用QS1电桥测量串级式电流互感器支架介损tgδ值时,可选择接线方法是()。A、自激法B、它激法C、未端加压法D、未端屏蔽法

考题 用不拆高压引线方式测量220kV电容式电压互感器介损及电容量,操作正确的是()。A、用反接屏蔽法测量电容分压器上节B、用正接法测量电容分压器上节C、用自激法测量电容分压器中、下节D、用反接法测量电容分压器中、下节

考题 测量串级式电压互感器介损tgδ的接线方法,有哪几种?

考题 用末端屏屏蔽法测量串级式电压互感器的tgδ的具体方法是:高压绕组A端加压,X端和底座接地;二次测量绕组和辅助绕组头尾均短接后与电桥Cx引线相连线;电桥按正接线方式工作。

考题 进行串级式电压互感器介损测量的方法主要有()。A、常规法B、正接法C、末端屏蔽法D、末端加压法

考题 测量一台110kV电力变压器,高压绕组对中+低压绕组及地介损损tgδ,当tgδ不合格时,一般表明其高压套管tgδ不合格。

考题 用电压互感器测量交流试验电压时,将电压互感品的高压绕组并接在试品的(),在其()测量电压,根据测得的电压和电压互感器的()计算出高压端的电压。

考题 串级式电压互感器是指将()绕组分为几个单元串联而成,目前使用的220KV串级式电压互感器一般分为()单元。

考题 单选题用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ,在试品底座法兰对地绝缘,电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下,其测得值主要反映()的绝缘状况A 一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地B 处于下铁芯下芯柱的1/4一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地C 处于下铁芯下芯柱的的1/4一次绕组端部对二次绕组端部之间的及下铁芯支架对壳之间D 上下铁芯支架

考题 单选题用末端屏蔽法测量110kV串级式电压互感器的tgδ时,在试品底座法兰接地、电桥正接线、Cx引线接试品x、xD端条件下,其测得值主要反映的是()的绝缘状况A 一次绕组对二次绕组及地B 处于铁芯下芯柱的1/2一次绕组对二次绕组之间C 铁芯支架D 处于铁芯下芯柱的1/2一次绕组端部对二次绕组端部之间

考题 判断题用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的tg∮具体接法是:高压绕组A端加压,X端和底座接地;二次测量绕线和辅助绕组均短接后与电桥CX引线相连;电桥按正接线方式工作。A 对B 错