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单选题
用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ，在试品底座法兰对地绝缘，电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下，其测得值主要反映（）的绝缘状况
A
一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地
B
处于下铁芯下芯柱的1／4一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地
C
处于下铁芯下芯柱的的1／4一次绕组端部对二次绕组端部之间的及下铁芯支架对壳之间
D
上下铁芯支架
参考答案
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解析：
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更多 “单选题用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ，在试品底座法兰对地绝缘，电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下，其测得值主要反映（）的绝缘状况A 一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地B 处于下铁芯下芯柱的1／4一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地C 处于下铁芯下芯柱的的1／4一次绕组端部对二次绕组端部之间的及下铁芯支架对壳之间D 上下铁芯支架” 相关考题
考题
绝缘电阻表上的各个接线端子连接方法是()。
A.接线端子“E”接被试品的接地端，常为正极性B.接线端子“L”接被试品高压端，常为负极性C.接线端子“G”接屏蔽端D.接线端子“L”与被试品之间应采用相应绝缘强度的屏蔽线和绝缘棒作连接E.接线端子“E”与被试品之间应采用相应绝缘强度的屏蔽线和绝缘棒作连接
考题
采用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的介损tgδ时，其值主要反映（）A、全部绕组的绝缘状态B、1/2绕组的绝缘状态C、1/4绕组绝缘状态D、只反映下部铁芯绕组绝缘状态，即110V级1/2绕组、220kV级1/4绕组的绝缘状态
考题
绝缘电阻表上的各个接线端子连接方法是（）。A、接线端子“E”接被试品的接地端，常为正极性B、接线端子“L”接被试品高压端，常为负极性C、接线端子“G”接屏蔽端D、接线端子“L”与被试品之间应采用相应绝缘强度的屏蔽线和绝缘棒作连接E、接线端子“E”与被试品之间应采用相应绝缘强度的屏蔽线和绝缘棒作连接
考题
用绝缘电阻表测量绝缘电阻时，应按（）正确接线后，才能进行测量。A、接线端子“E”接被试品的接地端，常为正极性B、接线端子“E”接被试品的高压端C、接线端子“G”接屏蔽端D、接线端子“G”接试品的接地端E、接线端子“L”与被试品之间应采用相应绝缘强度的屏蔽线和绝缘棒作连接F、接线端子“L”接被试品高压端，常为负极性
考题
试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，描述正确的是（）。A、试品电容量越大，对试品tgδ和C测量结果影响越大B、试品电容量越大，对试品tgδ和C测量结果影响越小C、试品电容量大小，对试品tgδ和C测量结果不影响D、以上均不是
考题
用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ，在试品底座法兰对地绝缘，电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下，其测得值主要反映（）的绝缘状况A、一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地B、处于下铁芯下芯柱的1／4一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地C、处于下铁芯下芯柱的的1／4一次绕组端部对二次绕组端部之间的及下铁芯支架对壳之间D、上下铁芯支架
考题
现场用电桥测量介质损耗因数，出现－tgδ的主要原因：①标准电容器CN有损耗，且tgδN＞tgδx；②电场干扰；③试品周围构架杂物与试品绝缘结构形成的空间干扰网络的影响；④空气相对湿度及绝缘表面脏污的影响。
考题
单选题用末端屏蔽法测量110kV串级式电压互感器的tgδ时，在试品底座法兰接地、电桥正接线、Cx引线接试品x、xD端条件下，其测得值主要反映的是（）的绝缘状况A
一次绕组对二次绕组及地B
处于铁芯下芯柱的1／2一次绕组对二次绕组之间C
铁芯支架D
处于铁芯下芯柱的1／2一次绕组端部对二次绕组端部之间
考题
判断题在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。A
对B
错
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