考题
型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为( )。
A、0.2 VB、0.7 VC、1 V
考题
二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。
考题
常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。
A.0.1B.0.3C.0.5D.0.7
考题
型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为()。A、1VB、0.2VC、0.6V
考题
二极管导通时的正向电压称为正向压降(或管压降)。一般正常工作时,硅管的正向压降是()V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
考题
二极管正向导通时,压降很小,硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V。
考题
光电耦合器的正向管压降一般在()V以下。A、30B、5C、1.5
考题
管压降是指二级管导通时的()A、压降B、反向压降C、正向压降D、电压降
考题
用数字万用表测量管子基极和发射极PN结的正向压降,硅管的正向压降一般为0.2—0.4V,锗管正向压降,一般为0.5—0.8V。()
考题
实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取(),锗管一般为()。
考题
锗二极管的正向压降通常为()。A、0.3v左右B、0.5v左右C、0.6v左右D、0.7v左右
考题
硅二极管的正向压降是()。A、0.7VB、0.2VC、1V
考题
PNP管大多为锗管,其发射结的正向压降一般为()V。A、0.2~0.3;B、0.4;C、0.6~0.7;D、0.5。
考题
常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。
考题
二极管正向导通时的正向电压值称为管压降,一般小功率硅管的管压降可为()V。A、0.6B、0.7C、0.8D、1.0
考题
晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
考题
在常温下,硅二极管的开启电压是()V,导通后在较大电流下时正向压降约()V。
考题
在常温下,硅二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V,锗二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V。
考题
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V;锗二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V。发光二极管的正向导通压降范围大约为()V。
考题
LED数码管的使用与发光二极管相同,根据其材料不同正向压降一般为()V,额定电流为()mA,最大电流为()mA。
考题
PNP管大多为锗管,其发射结的正向压降一般为()V。A、0.2~0.3B、0.4C、0.6~0.7D、0.5
考题
单选题型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为()。A
1VB
0.2VC
0.6V
考题
单选题硅二极管的正向压降是()。A
0.7VB
0.2VC
1V
考题
单选题功率二极管的正向压降Ud约为()。A
0.7VB
3VC
4VD
5V
考题
单选题在下列关于硅二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是()。A
0.1V/0.5VB
0.2V/0.5VC
0.5V/0.7VD
0.5V/1.0V
考题
填空题常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。
考题
判断题二极管正向导通时,压降很小,硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V。A
对B
错