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9、三极管三个区工艺特点各不相同：其中（）区掺杂浓度最高，（）区最薄，（）区结面积最大。备注：用汉字作答，多空答案用逗号隔开。）

参考答案和解析
发射区多数载流子浓度很高。基区很薄,多数载流子浓度很低。集电区面积很大,便于收集电子。
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考题 关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积
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考题 三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。()
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考题 渐进多焦眼镜分为四区,分别是()。 A.远用区、近用区、棱镜参考区、渐变区B.远用区、近用区、渐变区、像差区C.远用区、近用区、盲区、像差区D.远用区、像差区、近用区、焦外区
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考题 晶体三极管放大作用需满足的条件有()。 A.内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B.内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C.外部条件，发射结正偏，集电结反偏D.外部条件，发射结反偏。集电结反偏
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考题 晶体管能够放大的内部条件是()。 A.两个背靠背的PN结B.自由电子与空穴都参与导电C.有三个掺杂浓度不同的区域D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大
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考题 关于三极管,不正确的描述是() A.基区薄且低掺杂B.发射区高掺杂C.发射结面积大D.集电结面积大
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考题 晶体三极管有NPN和PNP之分，它们有二个PN结。按输入特性分为三个区：即放大区、截止区和饱和区。A对B错
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考题 在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）。A、基区B、集电区C、发射区D、饱和区
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考题 三极管有三个极，三个区，三个结。
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考题 三极管有三个区、（）极、（）个结。
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考题 三极管具有（）的特点。A、发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度B、基区非常薄C、集电区掺杂浓度较小，集电结的面积比发射结的面积大D、以上三项
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考题 汉字区位码是由国标GB2312-80规定的，其中从（）存储一级汉字。A、第1区至第9区B、第16区至第55区C、第16区至第87区D、第1区至第99区
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考题 晶体三极管有NPN和PNP之分，它们有二个PN结。按输入特性分为三个区：即放大区、截止区和饱和区。
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考题 晶体三极管放大作用需满足的条件有（）。A、内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B、内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C、外部条件，发射结正偏，集电结反偏D、外部条件，发射结反偏。集电结反偏
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考题 晶体三极管有两个PN结，分别是（）和（），分三个区域：（）区、（）区和（）区。晶体管的三种工作状态是（）、（）和（）。
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考题 由于发射区和集电区的掺杂浓度以及面积不同，因此三极管的集发射与电极极不能互换使用。
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考题 根据晶体管的结构特点，（）区的掺杂浓度最低。（）区的掺杂浓度最高。
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考题 半导体三极管的结构分为三个区，分别是（）区、（）区、（）区。
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考题 关于三极管的结构特点，以下说法不正确的为（）A、基区很薄B、基区掺杂浓度最高C、发射区掺杂浓度最高D、发射结的结面积小于集电结的结面积
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考题 三极管能放大的内因是：发射区掺杂浓度（）、基区宽度（）且杂质浓度（）、集电结面积（）；外部条件是：发射结处于（）偏置，集电结处于（）偏置。
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考题 以下属于三极管放大的外部条件是（）A、发射区掺杂浓度高B、集电结反偏C、基区薄且掺杂浓度低D、集电结面积大
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考题 晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
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考题 三极管最薄的区是（）。A、发射区B、集电区C、基区
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考题 晶体三极管有（）。A、三个极、三个区、两个结B、两个极、三个区、三个结C、三个极、两个区、三个结D、两个极、三个区、两个结
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考题 三极管有三个PN结和三个区—发射区、集电区、基区。
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考题 单选题汉字区位码是由国标GB2312-80规定的，其中从（）存储一级汉字。A 第1区至第9区B 第16区至第55区C 第16区至第87区D 第1区至第99区
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考题 填空题由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。
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