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空穴是（)。

A．带正电的质量为正的粒子

B．带正电的质量为正的准粒子

C．带正电的质量为负的准粒子

D．带负电的质量为负的准粒子

参考答案和解析
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考题 在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴，空穴B、空穴，电子C、电子，电子D、电子，空穴
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考题 P型半导体中,电子数与空穴数相比()。 A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为2:3
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考题 在N型半导体中,电子数目与空穴数目相比()。 A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为2:3
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考题 P型半导体，又称空穴型半导体，这种半导体空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
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考题 半导体中空穴电流是由（）所形成的。A、价电子的定向运动B、自由电子填补空穴C、自由电子定向运动D、价电子填补空穴
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考题 PNP三极管工作特点是（）.A、发射区发射电子，集电区收集电子B、发射区发射空穴，集电区收集电子C、发射区发射电子，集电区收集空穴D、发射区发射空穴，集电区收集空穴
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考题 半导体中空穴电流是由（）A、价电子填补空穴形成的B、自由电子填补空穴形成的C、空穴填补自由电子形成的D、自由电子定向运动形成的
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考题 电力晶体管GTR内部电流是由（）形成的。A、电子B、空穴C、电子和空穴D、有电子但无空穴
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考题 P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
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考题 电力晶闸管GTR内部电流是由（）形成的。A、电子B、空穴C、电子和空穴D、有电子但无空穴
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考题 P型半导体中，主要依靠（）导电，（）是少数载流子。A、空穴；空穴B、空穴；自由电子C、自由电子；空穴D、自由电子；自由电子
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考题 空穴导电的实质是：相邻原子中的价电子（共价键中的束缚电子）依次填补空穴而形成电流，空穴的运动方向与电子的运动方向（），因此认为空穴带正电。A、相同B、相反C、有时相同D、有时相反
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考题 本征半导体温度升高后，自由电子和空穴的变化情况是（）。A、自由电子数目增加，空穴数目不变B、空穴数目增多，自由电子数目不变C、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同D、自由电子和空穴数目不变
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考题 一般认为空穴是在作为谐振子的球状的阴阳离子间形成的，空穴体积相当于熔融时体积膨胀量，空穴的分布是均匀的。
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考题 什么是“空穴现象”？
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考题 半导体中的载流子是指（）A、自由电子B、空穴C、离子D、自由电子和空穴
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考题 什么是空穴？什么是气蚀？
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考题 半导体中空穴电流是由（）A、价电子填补空穴所形成的；B、自由电子填补空穴所形成的；C、空穴填补自由电子所形成的；D、自由电子定向运动所形成的。
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考题 P型半导体的特点是（）A、自由电子浓度大于空穴的浓度B、空穴的浓度大于自由电子的浓度C、自由电子的浓度等于空穴的浓度
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考题 半导体的空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
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考题 P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
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考题 什么是空穴？
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考题 单选题空穴导电的实质是：相邻原子中的价电子（共价键中的束缚电子）依次填补空穴而形成电流，空穴的运动方向与电子的运动方向（），因此认为空穴带正电。A 相同B 相反C 有时相同D 有时相反
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考题 单选题重空穴指的是（）。A 质量较大的原子形成的半导体产生的空穴B 价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴C 价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴D 自旋—轨道耦合分裂出来的能带上的空穴
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考题 单选题在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。A 空穴／自由电子B 自由电子／空穴C 空穴／共价键电子D 负离子／正离子
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考题 问答题什么是“空穴”？简述空穴的属性？
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考题 单选题在非线性元件的伏安特性研究中，N型半导体和P型半导体中，多数载流子分别是（）A 电子、空穴B 空穴、电子C 电子、电子D 空穴、空穴
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考题 单选题P型半导体中，主要依靠（）导电，（）是少数载流子。A 空穴；空穴B 空穴；自由电子C 自由电子；空穴D 自由电子；自由电子
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