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一般认为空穴是在作为谐振子的球状的阴阳离子间形成的,空穴体积相当于熔融时体积膨胀量,空穴的分布是均匀的。


参考答案

更多 “一般认为空穴是在作为谐振子的球状的阴阳离子间形成的,空穴体积相当于熔融时体积膨胀量,空穴的分布是均匀的。” 相关考题
考题 在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴,空穴B、空穴,电子C、电子,电子D、电子,空穴

考题 在N型半导体中,电子数目与空穴数目相比()。 A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为2:3

考题 半导体中空穴电流是由( )A.价电子填补空穴所形成的B.自由电子填补空穴所形成的C.空穴填补自由电子所形成的D.自由电子定向运动所形成的

考题 半导体中空穴电流是由()。A、自由电子填补空穴所形成的B、价电子填补空穴所形成的C、自由电子定向运动所形成的D、价电子的定向运动所形成的

考题 半导体中空穴电流是由()所形成的。A、价电子的定向运动B、自由电子填补空穴C、自由电子定向运动D、价电子填补空穴

考题 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

考题 半导体中空穴电流是由()A、价电子填补空穴形成的B、自由电子填补空穴形成的C、空穴填补自由电子形成的D、自由电子定向运动形成的

考题 电力晶闸管GTR内部电流是由()形成的。A、电子B、空穴C、电子和空穴D、有电子但无空穴

考题 P型半导体中,主要依靠()导电,()是少数载流子。A、空穴;空穴B、空穴;自由电子C、自由电子;空穴D、自由电子;自由电子

考题 空穴导电的实质是:相邻原子中的价电子(共价键中的束缚电子)依次填补空穴而形成电流,空穴的运动方向与电子的运动方向(),因此认为空穴带正电。A、相同B、相反C、有时相同D、有时相反

考题 半导体中的载流子为()。A、电子B、空穴C、正离子D、电子和空穴

考题 金属导体内的电流是由()在电场力的作用下运动而形成的。A、自由电子B、正、负离子C、空穴载流子D、自由电子和空穴

考题 N沟道结型场效应管中的载流子是()A、自由电子B、空穴C、电子和空穴D、带电离子

考题 在热激发条件下,少数价电子获得足够激发能,进入导带,产生()。A、负离子B、空穴C、正离子D、电子-空穴对

考题 P型半导体中的多数载流子是指()A、自由电子B、空穴C、自由电子—空穴对D、等离子

考题 半导体中的载流子是指()A、自由电子B、空穴C、离子D、自由电子和空穴

考题 半导体导电的主要特点是()。A、自由电子导电;B、空穴导电;C、自由电子和空穴同时导电;D、离子导电。

考题 在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子,多子(空穴)的数量=()+少子(自由电子)的数量。A、正离子数B、负离子数C、质子D、原子

考题 半导体中空穴电流是由()A、价电子填补空穴所形成的;B、自由电子填补空穴所形成的;C、空穴填补自由电子所形成的;D、自由电子定向运动所形成的。

考题 电力晶体管GTR内部电流是由()形成的。A、电子B、空穴C、电子和空穴D、有电子但无空穴

考题 单选题D沟道型场效应管中的载流子是()A 自由电子B 空穴C 电子和空穴D 带电离子

考题 问答题什么是“空穴”?简述空穴的属性?

考题 单选题空穴导电的实质是:相邻原子中的价电子(共价键中的束缚电子)依次填补空穴而形成电流,空穴的运动方向与电子的运动方向(),因此认为空穴带正电。A 相同B 相反C 有时相同D 有时相反

考题 单选题金属导体内的电流是由()在电场力的作用下运动而形成的。A 自由电子B 正、负离子C 空穴载流子D 自由电子和空穴

考题 单选题重空穴指的是()。A 质量较大的原子形成的半导体产生的空穴B 价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴C 价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴D 自旋—轨道耦合分裂出来的能带上的空穴

考题 单选题在P型半导体中多数载流子是(),在N型半导体中多数载流子是()。A 空穴/自由电子B 自由电子/空穴C 空穴/共价键电子D 负离子/正离子

考题 判断题一般认为空穴是在作为谐振子的球状的阴阳离子间形成的,空穴体积相当于熔融时体积膨胀量,空穴的分布是均匀的。A 对B 错